Транзистор BUT18AF

Транзистор BUT18AF

Артикул: 264852

NPN 1000V, 6A, 33W, 0.8uC

3,52 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
264852
Новый товар

Просмотренные товары

Транзистор MJE13005DF to220f
Биполярные транзисторы

Транзистор MJE13005DF to220f

293312
3,00 BYN
Наименование производителя: MJE13005DF Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 800 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A...
Транзистор D2578
Биполярные транзисторы

Транзистор D2578

275666
7,96 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A Статический коэффициент передачи тока...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор BC308B
Биполярные транзисторы

Транзистор BC308B

260099
0,96 BYN
Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -25 В Напряжение коллектор-база, не более: -30 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -0.1 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.5 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 180 до 460 Граничная частота коэффициента передачи...
Транзистор 2SD965R to92
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD965R to92

292943
0,80 BYN
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 20 В Напряжение коллектор-база, не более: 40 В Ток коллектора, не более: 5 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.75 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 340 до 600 Граничная частота коэффициента передачи тока: 150 МГц Корпус: TO-92
Транзистор 2SA970GR
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA970GR

303080
1,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор TIP127
Биполярные транзисторы

Транзистор TIP127

264239
2,00 BYN
Характеристики транзистора TIP127Структура p-n-pМаксимально допустимое напряжение коллектор-база 100 ВМаксимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер 100 ВМаксимально допустимый постоянный ток коллектора 5 АМаксимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора 2 ВтСтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с...
Транзистор 2SA1560
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA1560

292803
2,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 170...
Транзистор A1038
Биполярные транзисторы

Транзистор A1038

274967
1,36 BYN
Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -100 В Напряжение коллектор-база, не более: -100 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -5 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 40 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 70 до 240 Граничная частота коэффициента передачи тока: 30 МГц
Транзистор 2SD756
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD756

304633
16,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A Предельная температура PN-перехода...
Транзистор 2SC3309
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3309

303757
4,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
ТРАНЗИСТОР BF820
Биполярные транзисторы

ТРАНЗИСТОР BF820

303803
0,24 BYN
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 300 В Напряжение коллектор-база, не более: 300 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.05 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.25 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 50 Граничная частота коэффициента передачи тока: 60 МГц Корпус: SOT-23
Транзистор BD943
Биполярные транзисторы

Транзистор BD943

275162
2,16 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 22 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 22 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.