Транзистор MJD127T4G

Транзистор MJD127T4G

Артикул: 302976

Двухполюсный плоскостной транзистор

3,20 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
технические
Номинальное Напряжение (DC)
-100 V
Номинальный Ток
-8.00 A
Безгалогеновый Статус
Halogen Free
Количество Стежков
3
Полярность
PNP
Рассеяние Мощности
20 W
Пробивное Напряжение (Коллектор-Эмиттер)
100 V
Непрерывный ток коллектора
8A
hFE Min
1000 @4A, 4V
hFE Max
12000
Максимальная входная мощность
1.75 W
Усиление постоянного тока (hFE)
100
Рабочая температура (Макс)
150 ℃
Рабочая температура (мин)
-65 ℃
Gain Bandwidth
4MHz (Min)
Рассеиваемая Мощность (Макс)
1750 mW
пакет
Стиль Монтажа
Surface Mount
Количество Выводов
3
Корпус/Пакет
TO-252-3
размеры
Длина
6.73 mm
Ширина
6.22 mm
Высота
2.38 mm
Корпус/Пакет
TO-252-3
физическое
Рабочая Температура
-65℃ ~ 150℃ (TJ)
302976

Просмотренные товары

Транзистор 2SK1916
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1916

304751
20,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 80 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 450 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 18 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
Транзистор IRF9956
Полевые транзисторы

Транзистор IRF9956

276429
4,44 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3.5 A Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.1 Ohm Тип корпуса: SO8
Лента медная 0,05 х 200 мм 1 м ( мягкая )
Лента медная (на метры)

Лента медная 0,05 х 200 мм 1 м ( мягкая )

371887
40,00 BYN
Толщина: 0.05 мм ( мягкая ) Вес метра : 80г Ширина: 200 мм Длина: любая, от 1 метра Сплав меди М1 содержит в себе минимальное количество примесей (0,01%). Он идеально пригоден для создания проводников с различным сечением, так как наличие посторонних металлов в составе ухудшает электро- и теплопроводниковые свойства готовых полуфабрикатов. Медь М1 легко...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2N5609
Биполярные транзисторы

Транзистор 2N5609

290172
0,20 BYN
Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C Граничная...
Транзистор 2SC3179
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3179

275355
7,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15 MHz Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60 TO220
Транзистор 2SD2399
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD2399

304538
4,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A Граничная частота коэффициента передачи тока...
Транзистор 2SC3399
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3399

264759
0,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SC5856
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5856

304189
5,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 55 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 14 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SC3377
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3377

303765
3,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz Статический коэффициент передачи тока (hfe): 45 Корпус...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.