Транзистор DTC114EK

Транзистор DTC114EK

Артикул: 275707

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5.6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30

SOT23

1,00 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
275707
Новый товар

Просмотренные товары

Транзистор 2SC5857
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5857

275553
7,96 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 55 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 14 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SD1446
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD1446

304309
11,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 2000

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SB772 ( TO92MOD )
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB772 ( TO92MOD )

275091
0,52 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
Транзистор 2SC3026
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3026

312487
16,80 BYN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1700 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20 Корпус транзистора: TO3
Транзистор 2SC9011 (S9011) npn
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC9011 (S9011) npn

264784
0,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.31 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SC3680
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3680

303784
8,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 120 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 900 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SC3377
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3377

303765
3,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz Статический коэффициент передачи тока (hfe): 45 Корпус...
Транзистор 2SC5888
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5888

275556
4,44 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
Транзистор 2SC4833
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC4833

304075
14,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 35 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A Граничная частота коэффициента передачи...
Транзистор 2N2906
Биполярные транзисторы

Транзистор 2N2906

312435
5,12 BYN
Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -40 В Напряжение коллектор-база, не более: -60 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -0.6 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.4 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 40 до 120 Граничная частота коэффициента передачи тока: 200 МГц Корпус:...
Транзистор 2SC5299
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5299

292893
10,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 70 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A Статический коэффициент передачи тока...
Транзистор MJE15035 to220
Биполярные транзисторы

Транзистор MJE15035 to220

293319
14,00 BYN
Наименование производителя: MJE15035 Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 350 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100 Корпус транзистора:...
Транзистор 2SD1432
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD1432

292915
4,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SB562C
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB562C

303194
1,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.