Транзистор MJE182

Транзистор MJE182

Артикул: 302931

 Двухполюсный плоскостной транзистор

6,40 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
технические
Номинальное Напряжение (DC)
100 V
Номинальный Ток
3.00 A
Полярность
NPN
Рассеяние Мощности
12.5 W
Пробивное Напряжение (Коллектор-Эмиттер)
40 V
Непрерывный ток коллектора
3A
hFE Min
50
hFE Max
250
Рабочая температура (Макс)
150 ℃
Рабочая температура (мин)
-65 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)
12500 mW
пакет
Стиль Монтажа
Through Hole
Количество Выводов
3
Корпус/Пакет
TO-225
размеры
Корпус/Пакет
TO-225
физическое
Материал
Silicon
302931

Просмотренные товары

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SC4762
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC4762

304070
5,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SB733
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB733

303205
1,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz...
Транзистор 2SC1971
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC1971

303522
10,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 12 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 18 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
Транзистор BSP373 sot223
Биполярные транзисторы

Транзистор BSP373 sot223

293080
6,80 BYN
Маркировка: BSP373 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.8 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 1.7 A Максимальная температура канала (Tj):...
Транзистор 2SD1153
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD1153

304253
10,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SD2498
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD2498

304548
11,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор IHW20N120R3
Биполярные транзисторы

Транзистор IHW20N120R3

311653
16,40 BYN
Наименование: IHW20N120R3 Маркировка: H20R1203 Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 310 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.48 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40 Максимальная температура перехода (Tj): 175 Емкость коллектора...
Транзистор 2SC2411K-R
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC2411K-R

303611
0,80 BYN
Маркировка: CP_CQ_CR Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 32 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A Предельная...
Транзистор 2SC2320
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC2320

275329
3,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SC3507
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3507

275382
13,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25 SOT199
Транзистор 2SC5902
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5902

304193
11,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1700 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 9 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.