Транзистора PZT2907AT1G

Транзистора PZT2907AT1G

Артикул: 304904
Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 1000, корпус: PGSOT2234, АБ

TRANSISTOR, PNP, SOT-223; Transistor Type: Bipolar; Transistor Polarity: PNP; Voltage, Vceo: 60V; Current, Ic Continuous a Max: 500mA; Voltage, Vce Sat Max: 0.4V; Power Dissipation: 1.5W; Hfe, Min: 50; ft, Typ: 200MHz; Case Style: SOT-223; Termination Type: SMD; Complementary Device: PZT2222AT1; Current, Ic Max: 0.6A; Current, Ic hFE: 0.5A; Pin Configuration: B(1), C(2+4), E(3); Power, Ptot: 1.5W; Voltage, Vcbo: 60V
Корпус PGSOT2234, Тип проводимости и конфигурация PNP, Рассеиваемая мощность 1.5 Вт, Напряжение КЭ максимальное 60 В, Ток коллектора 600 мА, Коэффициент усиления по току, min 100, Коэффициент усиления по току, max 300

0,56 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
304904

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SC2611
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC2611

303620
3,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.25 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A Предельная температура PN-перехода...
View
Транзистор 2SC838
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC838

304203
1,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор BSP373 sot223
Биполярные транзисторы

Транзистор BSP373 sot223

293080
6,80 BYN
Маркировка: BSP373 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.8 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 1.7 A Максимальная температура канала (Tj):...
View
Транзистор D2253
Биполярные транзисторы

Транзистор D2253

275651
7,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1700 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SC5906
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5906

275558
11,96 BYN
Маркировка: WP Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A Предельная температура...
View
Транзистор 2SC2926
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC2926

260131
1,67 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 90 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 550 MHz Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
View
Транзистор 2SC1312
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC1312

275287
0,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SB1391
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB1391

303176
13,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор IHW20N120R3
Биполярные транзисторы

Транзистор IHW20N120R3

311653
16,40 BYN
Наименование: IHW20N120R3 Маркировка: H20R1203 Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 310 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.48 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40 Максимальная температура перехода (Tj): 175 Емкость коллектора...
View
Транзистор 2SD313
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD313

260214
3,30 BYN
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 60 В Напряжение коллектор-база, не более: 60 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 3 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 30 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 40 до 320 Граничная частота коэффициента передачи тока: 5 МГц...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.