Транзистор MJE340G

Транзистор MJE340G

Артикул: 302930

Двухполюсный плоскостной транзистор

2,16 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
технические
Номинальное Напряжение (DC)
300 V
Номинальный Ток
500 mA
Количество Стежков
3
Полярность
NPN
Рассеяние Мощности
20 W
Пробивное Напряжение (Коллектор-Эмиттер)
300 V
Тепловое Сопротивление
6.25℃/W (RθJC)
Непрерывный ток коллектора
0.5A
hFE Min
30 @50mA, 10V
Максимальная входная мощность
20 W
Усиление постоянного тока (hFE)
240
Рабочая температура (Макс)
150 ℃
Рабочая температура (мин)
-65 ℃
Температура соединения
-65℃ ~ 150℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)
20000 mW
пакет
Стиль Монтажа
Through Hole
Количество Выводов
3
Корпус/Пакет
TO-126-3
размеры
Длина
7.74 mm
Ширина
2.66 mm
Высота
11.04 mm
Корпус/Пакет
TO-126-3
физическое
Материал
Silicon
Рабочая Температура
-65℃ ~ 150℃
302930

Просмотренные товары

Покупатели этого товара так же приобрели:

Транзистор 2SA1930 to-220
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA1930 to-220

295068
3,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 180 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор MJE350G
Биполярные транзисторы

Транзистор MJE350G

293320
1,52 BYN
Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -300 В Напряжение коллектор-база, не более: -300 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -0.5 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 20 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 30 до 240 Корпус: TO-126

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SC930
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC930

275568
0,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.12 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор D1843
Биполярные транзисторы

Транзистор D1843

275626
3,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10000 TO92
Транзистор 15016
Биполярные транзисторы

Транзистор 15016

274930
10,80 BYN
Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -120 В Напряжение коллектор-база, не более: -200 В Напряжение эмиттер-база, не более: -7 V Ток коллектора, не более: -15 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 180 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 20 до 70 Граничная частота коэффициента передачи тока: 2 МГц
Транзистор 2SC5801
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5801

304187
12,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.14 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 9 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 5.5 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1.5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A Предельная температура PN-перехода...
Транзистор 2SD1267
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD1267

304265
6,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
Транзистор 2SD751
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD751

304632
27,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 140 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SD1223
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD1223

304261
6,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
Транзистор 2SC2910
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC2910

303645
3,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.07 A Предельная температура PN-перехода...
Транзистор 2SC2878A
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC2878A

303639
4,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 25 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15...
Транзистор 2SC5149 to3pf
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5149 to3pf

292888
2,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A Граничная частота коэффициента передачи...

Покупатели этого товара так же приобрели:

Транзистор MJE350G
Биполярные транзисторы

Транзистор MJE350G

293320
1,52 BYN
Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -300 В Напряжение коллектор-база, не более: -300 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -0.5 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 20 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 30 до 240 Корпус: TO-126
Транзистор 2SA1930 to-220
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA1930 to-220

295068
3,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 180 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.