Транзистор PBSS5350T

Транзистор PBSS5350T

Артикул: 302702
3,20 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 

Маркировка: ZD*

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 35 pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200

Корпус транзистора: SOT23

302702

Просмотренные товары

Микросхема TA8125S
Микросхемы импортные

Микросхема TA8125S

305975
2,20 BYN
TA8125S - это предусилитель с двумя выходами, предназначенный для использования в автомобиле или дома. Характеристики · Высокое усиление по напряжению разомкнутого контура: GVO = 100 дБ (тип.) При f = 1 кГц · Отличное разделение каналов и подавление высоких пульсаций: CHsep = 65 дБ (тип.) (F = 10 кГц, Rg = 2,2 кОм, VOUT = 0,775 В среднекв. (0 дБм)): RR =...
Транзистор 2SD1175
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD1175

304256
40,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80 Корпус транзистора: TO3

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SC114M
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC114M

303464
1,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80...
Транзистор D1546
Биполярные транзисторы

Транзистор D1546

275608
7,84 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор KTC1027Y
Биполярные транзисторы

Транзистор KTC1027Y

311607
1,60 BYN
Наименование производителя: KTC1027 Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80 Корпус транзистора: TO92
Транзистор 2SD1408
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD1408

304304
5,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
Транзистор 2SA958
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA958

303076
2,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор BFG591
Биполярные транзисторы

Транзистор BFG591

275197
4,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
Транзистор D2389
Биполярные транзисторы

Транзистор D2389

275655
8,96 BYN
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 150 В Напряжение коллектор-база, не более: 160 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 8 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 80 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 5000 до 30000 Граничная частота коэффициента передачи тока: 80 МГц TO3PFM
Транзистор 2N6650
Биполярные транзисторы

Транзистор 2N6650

303463
8,00 BYN
Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -80 В Напряжение коллектор-база, не более: -80 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -10 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 100 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 1000 до 20000 Корпус: TO-3
Транзистор 15031
Биполярные транзисторы

Транзистор 15031

274936
6,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.