Транзистор 2SA1859

Транзистор 2SA1859

Артикул: 313374

Корпус транзистора:TO220F

12,80 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
313374

Просмотренные товары

Микросхема КА561ИЕ15А
Микросхемы отечественные

Микросхема КА561ИЕ15А

310617
5,00 BYN
— интегральная микросхема (артикулярное наименование в соответствии с ГОСТ) микросхемы интегральные используются в РЭА в большой области применения с функционалом программируемый счетчик. Микросхемы выполнены в пластиковом корпусе 405.24-7. Тип прибора указывается на пластиковой части корпуса. Рабочая температура эксплуатации микросхемы от -60 до +125...
View
Транзистор 2Т506Б Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т506Б Au

301012
10,80 BYN
Транзисторы кремниевые планарные структуры n-p-n переключательные.Предназначены для применения в переключающих устройствах, импульсных модуляторах, преобразователях, линейных стабилизаторах напряжения.Транзисторы 2Т506А, 2Т506Б выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и гибкими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Транзистор...
View
Транзистор GW60V60DF
Транзисторы IGBT

Транзистор GW60V60DF

268386
21,00 BYN
Маркировка: GW60V60DF Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 375 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.15 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 60 Максимальная температура перехода...
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SC4763
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC4763

275442
7,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SB595
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB595

303196
7,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор BF979
Биполярные транзисторы

Транзистор BF979

275189
0,56 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.14 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SB891F
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB891F

303262
3,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 5 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 32 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
View
Транзистор 2955
Биполярные транзисторы

Транзистор 2955

274946
4,96 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 55 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 12 A Общий заряд затвора (Qg): 15 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.155 Ohm
View
Транзистор 2SB1108
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB1108

303123
26,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор TIP120
Биполярные транзисторы

Транзистор TIP120

275807
2,16 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
View
Транзистор 2SC2921
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC2921

275347
17,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz Статический коэффициент передачи тока (hfe): 18 MT-200
View
Транзистор 2SC1012
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC1012

292829
2,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 220 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.