Транзистор 2N1231

Транзистор 2N1231

Артикул: 302710

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 35 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.5 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 180 pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25

5,40 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
302710

Просмотренные товары

Транзистор КТ368А
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ368А

259450
0,00 BYN
Транзисторы КТ368А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.Предназначены для использования во входных и последующих каскадах усилителей высокой частоты.Транзисторы КТ368А, КТ368Б выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.Масса транзистора в металлостеклянном корпусе не более 1 г.
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SB1322AB
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB1322AB

303143
5,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 165...
View
Транзистор 2SB1151
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB1151

275061
1,76 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 175...
View
Транзистор 2SA1940
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA1940

292806
7,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SA984 (F,K)
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA984 (F,K)

264656
1,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SC104M
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC104M

303459
1,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SC4742
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC4742

304061
10,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25 Корпус...
View
Транзистор 2SC5148
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5148

292887
9,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A Граничная частота коэффициента передачи...
View
Транзистор 2SC3357
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3357

295067
3,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 6500 MHz Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40 Корпус...
View
Транзистор 2N1478
Биполярные транзисторы

Транзистор 2N1478

303486
5,60 BYN
Материал: Ge Структура: pnp Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 250mW Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 30V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 20V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 20V Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 500mA Предельная температура PN-перехода (Tj): 100°C...
View
Транзистор 2SD2389
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD2389

304536
21,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SB1097-O
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB1097-O

275058
2,40 BYN
Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -60 В Напряжение коллектор-база, не более: -80 В Напряжение эмиттер-база, не более: -7 V Ток коллектора, не более: -7 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 30 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 80 до 120
View
Транзистор 2SC3955
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3955

303874
20,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 7 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SC1470H
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC1470H

303489
3,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 450 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 360 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 30 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор MPSA06
Биполярные транзисторы

Транзистор MPSA06

275746
1,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.