Элементы для часов, калькуляторов,слуховых аппаратов Renata R 335 (1бл) (SR 512 SW,бат-ка для часов) 268613 8,00 BYN В корзину
Элементы для часов, калькуляторов,слуховых аппаратов Renata R 337 (1бл) (SR 416 SW,бат-ка для часов) 268614 9,00 BYN В корзину
Микросхемы отечественные Микросхема 521СА401 Ni 300054 7,00 BYN Микросхема изготовлена по биполярной технологии и предназначены для применения в системах обработки информации, дискриминаторах амплитуды и скорости нарастания импульсов, индикаторах момента превышения сигналом определенного уровня, в пороговых и пиковых детекторах, автогенераторах, усилителях считывания сигналов магнитной памяти, сравнивающих устройствах... В корзину
Листы из оргстекла Оргстекло бесцветное прозрачное (СССР) 6,0 х 600 х 680 мм 10743 107,00 BYN Оргстекло бесцветное прозрачное (СССР) ( с хранения) В корзину
Биполярные транзисторы Транзистор 2SC5197 292889 10,40 BYN Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A Предельная температура PN-перехода (Tj):... В корзину
Биполярные транзисторы Транзистор 2SC5588 304153 14,60 BYN Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 75 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1700 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A Предельная температура PN-перехода (Tj):... В корзину
Биполярные транзисторы Транзистор 2SA1266 264633 0,52 BYN Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 130 MHz Статический коэффициент передачи тока (hfe): 55 В корзину
Биполярные транзисторы Транзистор BCW61C 275130 0,52 BYN Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 32 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 32 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A Предельная температура PN-перехода (Tj):... В корзину
Биполярные транзисторы Транзистор 2SC4722 275441 1,96 BYN Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.1 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 11.6 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время... В корзину
Биполярные транзисторы Транзистор TIP142 259979 14,20 BYN NPN, 100V, 10A, 125W, B>1000 (Comp. TIP147) В корзину
Биполярные транзисторы Транзистор ST2111FX 293405 10,80 BYN коллектор-базовое напряжение (vBE = 0) 1500 в Коллекторно-Эмиттерное напряжение VCEO (IB = 0) 700 в Ток коллектора ИС 12 А Пиковый ток коллектора CM (tP < 5 мс) 25 а IB базовый ток 7 а В корзину
Биполярные транзисторы Транзистор BSP171 sot223 293079 9,00 BYN Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.8 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 1.9 A Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.3 Ohm В корзину
Биполярные транзисторы Транзистор 2SD1541 304324 19,40 BYN Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 12 В корзину
Биполярные транзисторы BUY12 303853 2,40 BYN Pc max Ucb max Uce max Ueb max Ic max Tj max, °C Ft max Cc tip Hfe 50W 210V 80V 5V 10A 165°C 250KHz - 10MI В корзину
Биполярные транзисторы Транзистор D1565 275613 4,64 BYN Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 8000 TO220 В корзину
Биполярные транзисторы Транзистор 2SD2331 304532 9,80 BYN Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3.5 A Граничная частота коэффициента передачи... В корзину
Биполярные транзисторы Транзистор 2SA1306 292798 9,60 BYN Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A Предельная температура PN-перехода (Tj):... В корзину
Биполярные транзисторы Транзистор 2SC3261 260133 5,20 BYN Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 800 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A Предельная температура PN-перехода (Tj):... В корзину
Биполярные транзисторы Транзистор BUH1015HI 304217 24,20 BYN Двухполюсный плоскостной транзистор В корзину
Биполярные транзисторы Транзистор 2N2222 SOT23 290167 0,20 BYN Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 75 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Граничная... В корзину