Транзистор 2SA1725

Транзистор 2SA1725

Артикул: 303027

Двухполюсный плоскостной транзистор

27,60 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
Частота
20 MHz
Полярность
PNP
Рассеяние Мощности
30 W
Пробивное Напряжение (Коллектор-Эмиттер)
80 V
Непрерывный ток коллектора
6A
hFE Min
50 @2A, 4V
Максимальная входная мощность
30 W
Рабочая температура (Макс)
150 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)
30 W
пакет
Стиль Монтажа
Through Hole
Количество Выводов
3
Корпус/Пакет
TO-220-3
размеры
Корпус/Пакет
TO-220-3
физическое
Материал
Silicon
Рабочая Температура
150℃ (TJ)
303027

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SD655E
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD655E

304628
1,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.7 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250...
Транзистор 2SB546A
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB546A

303193
2,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор BUH315D orig
Биполярные транзисторы

Транзистор BUH315D orig

275259
5,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SC1093
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC1093

312455
2,24 BYN
Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -120 В Напряжение коллектор-база, не более: -120 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -8 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 80 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 55 до 240 Граничная частота коэффициента передачи тока: 90 МГц Корпус: TO-3P
Транзистор 2SD1887
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD1887

292929
10,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 70 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SC4159
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC4159

304010
7,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SA2099
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA2099

303046
12,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
Транзистор 2SC5909
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5909

292903
30,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор IHW20N120R3
Биполярные транзисторы

Транзистор IHW20N120R3

311653
16,40 BYN
Наименование: IHW20N120R3 Маркировка: H20R1203 Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 310 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.48 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40 Максимальная температура перехода (Tj): 175 Емкость коллектора...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.