технические
Частота8000 MHz
Номинальное Напряжение (DC)12.0 V
Номинальный Ток65.0 mA
Количество Стежков3
ПолярностьNPN
Рассеяние Мощности580 mW
Входная Ёмкость2.25 pF
Пробивное Напряжение (Коллектор-Эмиттер)12 V
Усиление10dB ~ 15dB
hFE Min70 @30mA, 8V
Максимальная входная мощность580 mW
Усиление постоянного тока (hFE)70
Рабочая температура (Макс)150 ℃
Рабочая температура (мин)-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)580 mW
пакет
Стиль МонтажаSurface Mount
Количество Выводов3
Корпус/ПакетSOT-23-3
размеры
Длина2.9 mm
Ширина1.3 mm
Высота1 mm
Корпус/ПакетSOT-23-3
физическое
МатериалSilicon
Рабочая Температура150℃ (TJ)
