Транзистор TIP102

Транзистор TIP102

Артикул: 275801

Корпус TO-220
Вес 2 г
NPN Darl, 100V, 8A, 80W, B>1000 (Comp. TIP107)

3,40 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
275801
Новый товар

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SC3751
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3751

303788
5,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1100 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SC9018
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC9018

264788
0,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор IRGPC30U
Биполярные транзисторы

Транзистор IRGPC30U

311724
18,00 BYN
БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАТВОРОМ IRGPC30U Сверхбыстрый IGBT Имеет характеристики C � Коэффициент потерь при переключении включает все "хвостовые" потери VCES = 600 В � Оптимизирован для высокой рабочей частоты (более 5 кГц) См. Рис. 1 для сравнения тока Частотная кривая VCE(sat) ? 3,0 В G @VGE = 15 В, IC = 12A E n-канальное описание...
Транзистор 2SD1554
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD1554

292919
7,52 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3.5 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SB1237
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB1237

303137
1,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 185...
Транзистор BDX62
Биполярные транзисторы

Транзистор BDX62

275166
19,40 BYN
Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -60 В Напряжение коллектор-база, не более: -80 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -8 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 90 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 1000 Граничная частота коэффициента передачи тока: 7 МГц Корпус: TO-3
Транзистор 2SC3853
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3853

303796
27,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
Транзистор 2SC3030
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3030

303655
5,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 900 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SC3042
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3042

303656
15,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SC5197
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5197

292889
10,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SC5856
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5856

275552
8,36 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 55 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 14 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.