Транзистор 2SB1329

Транзистор 2SB1329

Артикул: 303144

биполярный, кремниевый, высокочастотный (30 МГц > FГР < 300 МГц) транзистор типа P-N-P, средней мощности (300 мВт > PК,МАКС < 1,5 Вт)

3,80 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
303144

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SC3255
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3255

303747
14,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 200...
Транзистор 2SC3853
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3853

303796
27,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
Транзистор 2SB834
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB834

292825
1,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
Транзистор 2SC3973A
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3973A

303876
8,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 45 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 900 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 500 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A Граничная частота коэффициента передачи...
Транзистор 2SD1669
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD1669

260194
12,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
Транзистор J6920 (A)
Биполярные транзисторы

Транзистор J6920 (A)

275727
26,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1700 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A Статический коэффициент передачи тока...
Транзистор 2SA1146
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA1146

302881
10,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 140 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 140 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор BLT80/T1
Биполярные транзисторы

Транзистор BLT80/T1

275208
12,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.25 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25...
Транзистор MJE13007F to220f
Биполярные транзисторы

Транзистор MJE13007F to220f

293314
4,00 BYN
Наименование производителя: MJE13007F Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A...
Транзистор BSP373 sot223
Биполярные транзисторы

Транзистор BSP373 sot223

293080
6,80 BYN
Маркировка: BSP373 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.8 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 1.7 A Максимальная температура канала (Tj):...
Транзистор 2SC3886A
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3886A

275400
8,24 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор BD246
Биполярные транзисторы

Транзистор BD246

260116
9,60 BYN
Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -60 В Напряжение коллектор-база, не более: -70 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -15 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 80 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 40 Граничная частота коэффициента передачи тока: 3 МГц...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.