Транзистор 2SD669A

Транзистор 2SD669A

Артикул: 275699

Корпус TO-126
Вес 0,8 г
NPN 180V, 1.5A, 20W, 140MHz

1,00 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
275699
Новый товар

Просмотренные товары

Транзистор 2SB897
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB897

303263
28,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...

Покупатели этого товара так же приобрели:

Транзистор 2SD1047
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD1047

282627
10,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 140 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SA1943 to264 (2-21F1A)
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA1943 to264 (2-21F1A)

292807
15,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 17 A Статический коэффициент передачи тока...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SB1065
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB1065

275057
4,44 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
Транзистор SGH40N60UFD
Биполярные транзисторы

Транзистор SGH40N60UFD

311731
27,40 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время нарастания: 50 Тип корпуса: TO3P
Транзистор IRGB4086
Биполярные транзисторы

Транзистор IRGB4086

311723
23,20 BYN
Наименование: IRGB4086 Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 160 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.1 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 70 Тип корпуса: TO220AB
Транзистор 2SC5929
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5929

304195
18,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1550 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор TIP33C
Биполярные транзисторы

Транзистор TIP33C

275812
14,68 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 140 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SC2682
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC2682

275337
1,04 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 8 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz...
Транзистор 2SD1012
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD1012

304245
0,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.7 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор D1414
Биполярные транзисторы

Транзистор D1414

275595
3,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 2000 TO220F
Транзистор 2SB940
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB940

303266
3,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 180 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор IRGPC30U
Биполярные транзисторы

Транзистор IRGPC30U

311724
18,00 BYN
БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАТВОРОМ IRGPC30U Сверхбыстрый IGBT Имеет характеристики C � Коэффициент потерь при переключении включает все "хвостовые" потери VCES = 600 В � Оптимизирован для высокой рабочей частоты (более 5 кГц) См. Рис. 1 для сравнения тока Частотная кривая VCE(sat) ? 3,0 В G @VGE = 15 В, IC = 12A E n-канальное описание...
Транзистор MUN5211DW1T1
Биполярные транзисторы

Транзистор MUN5211DW1T1

275754
1,24 BYN
Тип материала: Si Полярность: Pre-Biased-NPN Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1 Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.187 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V...
Транзистор 2SC3421
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3421

275377
1,76 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...

Покупатели этого товара так же приобрели:

Транзистор 2SD1047
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD1047

282627
10,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 140 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор BD680
Биполярные транзисторы

Транзистор BD680

275157
1,36 BYN
Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -80 В Напряжение коллектор-база, не более: -80 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -4 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 40 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 750 TO126
Транзистор 2SB649A
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB649A

275088
1,52 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft):...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.