Транзистор BD912

Транзистор BD912

Артикул: 274222

PNP 100V, 15A, 90W (Comp. BD911)

3,72 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
274222
Новый товар

Просмотренные товары

Покупатели этого товара так же приобрели:

Транзистор BD680
Биполярные транзисторы

Транзистор BD680

275157
1,36 BYN
Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -80 В Напряжение коллектор-база, не более: -80 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -4 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 40 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 750 TO126
View
Транзистор 2SD1047
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD1047

282627
10,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 140 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор MPSA06
Биполярные транзисторы

Транзистор MPSA06

275746
1,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SD1640 To126mod
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD1640 To126mod

292921
2,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 4000
View
Транзистор 2SA1241
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA1241

302901
2,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 125...
View
Транзистор 2SC1675
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC1675

275294
0,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор D44VH10G
Биполярные транзисторы

Транзистор D44VH10G

311591
8,00 BYN
Наименование производителя: D44VH10G Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 83 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A...
View
Транзистор BUT76A
Биполярные транзисторы

Транзистор BUT76A

293088
8,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 110 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft):...
View
Транзистор 2SD2401
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD2401

304539
59,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SA1091R
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA1091R

312439
2,80 BYN
Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -300 В Напряжение коллектор-база, не более: -300 В Напряжение эмиттер-база, не более: -8 V Ток коллектора, не более: -0.1 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.4 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 30 до 90 Граничная частота коэффициента передачи тока: 60 МГц Корпус:...
View
Транзистор 2SD1225M
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD1225M

304262
2,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
View
Транзистор 2SD1859R
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD1859R

304480
5,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.7 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
View
Транзистор D612
Биполярные транзисторы

Транзистор D612

275698
1,16 BYN
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 25 В Напряжение коллектор-база, не более: 25 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 2 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 10 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 60 до 320 Граничная частота коэффициента передачи тока: 100 МГц TO126
View

Покупатели этого товара так же приобрели:

Транзистор 2SD1047
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD1047

282627
10,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 140 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор BD680
Биполярные транзисторы

Транзистор BD680

275157
1,36 BYN
Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -80 В Напряжение коллектор-база, не более: -80 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -4 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 40 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 750 TO126
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.