Транзистор MJE13009

Транзистор MJE13009

Артикул: 259966

NPN 700/400V, 12A, 100W,150*C

5,00 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
259966
Новый товар

Покупатели этого товара так же приобрели:

Транзистор КТ829Г
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ829Г

301117
1,80 BYN
Транзисторы КТ829Г кремниевые мезапланарные структуры n-p-n составные усилительные.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, переключающих устройствах.Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры общего назначения.Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе...
Транзистор КТ829В
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ829В

301116
0,80 BYN
Транзисторы КТ829В кремниевые мезапланарные структуры n-p-n составные усилительные.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, переключающих устройствах.Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры общего назначения.Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе...
Транзистор КТ829A
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ829A

259526
2,24 BYN
Транзисторы КТ829А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n составные усилительные.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, переключающих устройствах.Корпус пластмассовый с жесткими выводами.Масса транзистора не более 2 г.
Транзистор КТ829Б
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ829Б

301115
2,00 BYN
Транзисторы КТ829Б кремниевые мезапланарные структуры n-p-n составные усилительные.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, переключающих устройствах.Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры общего назначения.Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе...
Транзистор КТ819АМ
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ819АМ

301094
1,40 BYN
Транзисторы КТ819АМ кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SC2603
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC2603

275336
0,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100...
Транзистор BU2525AX orig
Биполярные транзисторы

Транзистор BU2525AX orig

275224
9,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 45 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SC2682-O
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC2682-O

312469
1,68 BYN
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 180 В Напряжение коллектор-база, не более: 180 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.1 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 10 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 100 до 320 Граничная частота коэффициента передачи тока: 200 МГц Корпус: TO-126
Транзистор 2SC5609
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5609

275532
0,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SC2001
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC2001

303526
1,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.7 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.7 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SC2060
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC2060

303561
3,52 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.7 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 75...
Транзистор 2SB927
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB927

303265
10,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2.5 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SC3852
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3852

264766
8,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15 MHz Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
Транзистор BCP54
Биполярные транзисторы

Транзистор BCP54

303715
0,40 BYN
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 45 В Напряжение коллектор-база, не более: 45 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 1 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 1.5 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 40 до 250 Граничная частота коэффициента передачи тока: 100 МГц Корпус: SOT-223
Транзистор 2SD1764
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD1764

304384
3,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 2500

Покупатели этого товара так же приобрели:

Транзистор RFP70N06
Полевые транзисторы

Транзистор RFP70N06

312633
8,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 70 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Транзистор КТ829В
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ829В

301116
0,80 BYN
Транзисторы КТ829В кремниевые мезапланарные структуры n-p-n составные усилительные.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, переключающих устройствах.Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры общего назначения.Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе...
Транзистор КТ819АМ
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ819АМ

301094
1,40 BYN
Транзисторы КТ819АМ кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на...
Транзистор КТ829Г
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ829Г

301117
1,80 BYN
Транзисторы КТ829Г кремниевые мезапланарные структуры n-p-n составные усилительные.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, переключающих устройствах.Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры общего назначения.Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.