Транзистор 2SD1273

Транзистор 2SD1273

Артикул: 275585

Корпус TO-220F
Вес 2,9 г
NPN 80V, 3A, 40W, 50MHz, B>500

3,00 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
275585
Новый товар

Просмотренные товары

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SC3460
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3460

292864
8,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1100 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SA1726
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA1726

303028
18,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz Статический коэффициент передачи тока (hfe): 160 Корпус...
View
Транзистор 2SA1241
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA1241

302901
2,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 125...
View
Транзистор 21194G
Биполярные транзисторы

Транзистор 21194G

274943
17,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 16 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор IRGPC30U
Биполярные транзисторы

Транзистор IRGPC30U

311724
18,00 BYN
БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАТВОРОМ IRGPC30U Сверхбыстрый IGBT Имеет характеристики C � Коэффициент потерь при переключении включает все "хвостовые" потери VCES = 600 В � Оптимизирован для высокой рабочей частоты (более 5 кГц) См. Рис. 1 для сравнения тока Частотная кривая VCE(sat) ? 3,0 В G @VGE = 15 В, IC = 12A E n-канальное описание...
View
Транзистор 2SC3507
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3507

275382
13,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25 SOT199
View
Транзистор 2SB1238
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB1238

303138
8,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.7 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 165...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.