Транзистор BC807-40

Транзистор BC807-40

Артикул: 275117

Корпус SOT-23
Вес 0,1 г
PNP 50V, 0.5A, 0.31W, 100MHz

0,40 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
275117
Новый товар

Покупатели этого товара так же приобрели:

Транзистор H10N65 to220f
Полевые транзисторы

Транзистор H10N65 to220f

293152
7,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 178 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 650 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 10 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 69 ns Выходная емкость (Cd): 166 pf...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SC5302
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5302

260175
18,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 75 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SA1490
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA1490

292802
13,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
Транзистор 2SA1241
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA1241

302901
2,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 125...
Транзистор A1038
Биполярные транзисторы

Транзистор A1038

274967
1,36 BYN
Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -100 В Напряжение коллектор-база, не более: -100 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -5 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 40 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 70 до 240 Граничная частота коэффициента передачи тока: 30 МГц
Транзистор N5962
Биполярные транзисторы

Транзистор N5962

275772
0,80 BYN
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 45 В Напряжение коллектор-база, не более: 45 В Напряжение эмиттер-база, не более: 7 V Ток коллектора, не более: 0.05 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 700 до 1400 Граничная частота коэффициента передачи тока: 100 МГц TO92
Транзистор 2SC2555
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC2555

312467
16,80 BYN
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 400 В Напряжение коллектор-база, не более: 500 В Напряжение эмиттер-база, не более: 7 V Ток коллектора, не более: 8 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 80 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 10 Корпус: TO-3P
Транзистор TT2202
Биполярные транзисторы

Транзистор TT2202

275827
8,76 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор BC847C
Биполярные транзисторы

Транзистор BC847C

275123
0,72 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SD1111
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD1111

292909
3,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.7 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...

Покупатели этого товара так же приобрели:

Транзистор H10N65 to220f
Полевые транзисторы

Транзистор H10N65 to220f

293152
7,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 178 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 650 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 10 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 69 ns Выходная емкость (Cd): 166 pf...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.