Транзистор 2SC5909

Транзистор 2SC5909

Артикул: 275559

Корпус TO-3PF
Вес 8 г
NPN 600V, 15A, 50W

16,80 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
275559
Новый товар

Просмотренные товары

Оптопара АОД120А-1
Оптопары

Оптопара АОД120А-1

295237
0,48 BYN
Технические характеристики диодных оптопарАОД120А-1, АОД120Б-1: Наименованиедиодной оптопарыЗначения электрических параметров диодных оптопарПредельные эксплуатационные характеристикиT ОКРU ВХ(при I вх мА)K i(при I вх мА)t НАР, t СП(при I вх мА)I УТ.ВЫХR ИЗС ПРОХI ВХI ВХ.ИU ВХ.ОБРU ВЫХ.ОБРU ВЫХ.ОБР.ИU ИЗВ%нсмкАГОмпФмАмАВВВВ°CАОД120А-1 <1,9 (10) 1,0...
View
Микросхема К155ЛА11
Микросхемы отечественные

Микросхема К155ЛА11

260635
1,10 BYN
представляют собой 4 двухвходовых высоковольтных элемента И-НЕ с открытым коллектором.Предназначены для выполнения логической операции И-НЕ, сопряжения с МОП ИС и с другими 12-вольтовыми схемами.Содержат 32 интегральных элементов.Корпус типа 201.14-1, масса не более 1 г.
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SD2083
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD2083

304517
135,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 120 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 25 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SB794
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB794

303253
7,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SD1975
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD1975

304502
83,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 170 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
View
Транзистор 2SA970GR
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA970GR

303080
1,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SC4672 sot89
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC4672 sot89

264772
2,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
View
Транзистор 2SA124
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA124

302900
2,20 BYN
Тип материала: Ge Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.015 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.002 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 65 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50...
View
Транзистор 2SD1680
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD1680

292923
12,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 70 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 330 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
View
Транзистор 2SA992
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA992

280479
0,72 BYN
Характеристики транзистора 2SA992 Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -120 В Напряжение коллектор-база, не более: -120 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -0.05 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.5 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 200 до 800 Граничная частота...
View
Транзистор 2SA1160B
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA1160B

311539
0,80 BYN
Наименование производителя: 2SA1160B Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A...
View
Транзистор 2SA1006
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA1006

312437
8,80 BYN
Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -180 В Напряжение коллектор-база, не более: -180 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -1.5 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 25 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 60 до 320 Граничная частота коэффициента передачи тока: 80 МГц Корпус:...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.