Транзистор BU508DW orig

Транзистор BU508DW orig

Артикул: 275248

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 7 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 6 SOT429

7,00 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
275248
Новый товар

Просмотренные товары

Транзистор AP88N30W to3p
Полевые транзисторы

Транзистор AP88N30W to3p

293052
17,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 300 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 48 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 150 nC Время нарастания (tr): 142...
View
Транзистор FDS4480 so8
Полевые транзисторы

Транзистор FDS4480 so8

293106
8,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 800
View
Транзистор IRGP4063D to-247
Транзисторы IGBT

Транзистор IRGP4063D to-247

266560
30,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 330W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.14V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 96A
View
Транзистор 2SA539Y
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA539Y

303051
1,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор D1271
Биполярные транзисторы

Транзистор D1271

275583
16,00 BYN
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 80 В Напряжение коллектор-база, не более: 130 В Напряжение эмиттер-база, не более: 7 V Ток коллектора, не более: 7 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 40 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 60 до 260 Граничная частота коэффициента передачи тока: 30 МГц TO220F
View
Транзистор D600K
Биполярные транзисторы

Транзистор D600K

275697
3,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 8 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
View
Транзистор 2SC4745
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC4745

304068
6,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор SGSIF444
Биполярные транзисторы

Транзистор SGSIF444

311615
11,00 BYN
Наименование производителя: SGSIF444Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 55 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1200 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 VМакcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 AПредельная температура PN-перехода (Tj): 175 °CКорпус транзистора: ISO218
View
Транзистор 2SB772 ( TO92MOD )
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB772 ( TO92MOD )

275091
0,52 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
View
Транзистор 2SC3675
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3675

303782
13,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 900 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SC1953-S
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC1953-S

303518
8,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SC5588
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5588

304153
14,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 75 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1700 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор D2166
Биполярные транзисторы

Транзистор D2166

275650
3,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 5 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
View
Транзистор MJ15026
Биполярные транзисторы

Транзистор MJ15026

312629
8,00 BYN
Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -250 В Напряжение коллектор-база, не более: -400 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -16 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 250 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 15 до 60 Граничная частота коэффициента передачи тока: 4 МГц Корпус: TO-3
View
Транзистор 2SC5597
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5597

275531
27,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1700 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 22 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.