Транзистор BUT11AX

Транзистор BUT11AX

Артикул: 275273

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10

TO220F-3

1,76 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
275273
Новый товар

Просмотренные товары

Транзистор 60N60C2D1 (неизолированный)
Полевые транзисторы

Транзистор 60N60C2D1 (неизолированный)

276060
21,56 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.7V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 75A Время нарастания: 35 ISOPLUS247
Микросхема 169УЛ2 Au
Микросхемы отечественные

Микросхема 169УЛ2 Au

299580
16,20 BYN
Микросхемы 169-серии представляют собой схемы интерфейса, ТТЛ-типа, выполненные по биполярной технологии с изоляцией p-n переходом, предназначенные для работы в устройствах управления цепями записи и считывания информации в адресных и разрядных шинах и преобразования сигналов, считываемых с блоков памяти запоминающих устройств ЦВМ и устройств дискретной...
Микросхема 530ЛП5 Au
Микросхемы отечественные

Микросхема 530ЛП5 Au

300101
13,00 BYN
Цифровая микросхема серии ТТЛ изготовлена по биполярной технологии с диодами Шоттки и p-n переходом.Микросхемы 530ЛП5 представляют собой четыре двухвходовых элемента Исключающее ИЛИ.Содержат 176 интегральных элементов.Корпус типа 401.14-5, масса не более 0,65 г.Напряжение питания: 5 ±10% В.Рабочая температура: -60...+125°С.Технические условия:...
Транзистор 2SC5030F
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5030F

304087
15,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1100 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SC3328Y
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3328Y

303760
8,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 175...
Транзистор TIP33C
Биполярные транзисторы

Транзистор TIP33C

294935
7,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 140 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SB1443
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB1443

303178
2,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
Транзистор 2SC1006
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC1006

275285
1,36 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SC3886A
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3886A

275400
8,24 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SD1898
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD1898

304489
2,80 BYN
Маркировка: DBP_DBQ_DBR_DF_ Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 5 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz Статический коэффициент передачи...
Транзистор 2SC4460
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC4460

292874
9,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 55 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 800 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 500 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A Граничная частота коэффициента передачи...
Транзистор 2SC4518A
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC4518A

311582
10,60 BYN
Наименование производителя: 2SC4518A Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 35 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 550 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.