

Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.225 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 18 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 8 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 0.03 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Выходная емкость (Cd): 3 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 200 Ohm
TO50