Механика и робототехника Насос воздушно-водяной TSVP385-6Z мембранный, штуцеры 4,8мм, напряжение питания 6 В 312949 30,00 BYN В корзину
Микросхемы импортные Микросхема LM3488MM 309238 28,00 BYN Высокоэффективный контроллер для импульсного регулятора с внешним n-канальным ключом,[SSOP-8] В корзину
Биполярные транзисторы Транзистор 2SD2396 to220f 292937 3,60 BYN Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150... В корзину
Биполярные транзисторы Транзистор 2SC5686 275536 13,00 BYN Корпус TO-3PFВес 8 гNPN 600V, 11A, 70W В корзину
Биполярные транзисторы Транзистор 2SC5129 292886 9,20 BYN Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A Граничная частота коэффициента передачи... В корзину
Биполярные транзисторы Транзистор 2SC3089 303659 11,40 BYN Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 800 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 500 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A Предельная температура PN-перехода (Tj):... В корзину
Биполярные транзисторы Транзистор 2SB1109 303124 16,20 BYN Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A Предельная температура PN-перехода (Tj):... В корзину
Биполярные транзисторы Транзистор 2SB1010 275050 1,56 BYN Корпус TO-92modВес 0,7 гSi-P, 40V, 2A, 0,75W, 100MHz В корзину
Биполярные транзисторы Транзистор 2SA985A 303084 9,80 BYN Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A Предельная температура PN-перехода (Tj):... В корзину
Биполярные транзисторы Транзистор 2SD2439A 304542 22,00 BYN Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A Предельная температура PN-перехода (Tj):... В корзину
Биполярные транзисторы Транзистор 2SC3209 303685 5,40 BYN Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60 В корзину
Биполярные транзисторы Транзистор A1668 275010 2,60 BYN Корпус TO-220FВес 2,9 гSi-P, 200/200V, 2A, 25W, 20MHz В корзину