Транзистор 2SC124ES

Транзистор 2SC124ES

Артикул: 303470

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.025 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40

1,20 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
303470

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SC3423
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3423

275378
3,00 BYN
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 150 В Напряжение коллектор-база, не более: 150 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.05 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 5 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 80 до 240 Граничная частота коэффициента передачи тока: 200 МГц TO126
Транзистор 2SD773
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD773

303647
0,96 BYN
СтруктураnpnМакс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В20Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В17Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)2Статический коэффициент передачи тока h21э мин135Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц50Максимальная рассеиваемая мощность...
Транзистор BUV48B
Биполярные транзисторы

Транзистор BUV48B

275277
7,96 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1200 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SC2555
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC2555

312467
16,80 BYN
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 400 В Напряжение коллектор-база, не более: 500 В Напряжение эмиттер-база, не более: 7 V Ток коллектора, не более: 8 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 80 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 10 Корпус: TO-3P
Транзистор 2SC369
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC369

303785
1,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 18 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SC4046
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC4046

303886
10,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 8 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2N5401 to-92_bulk
Биполярные транзисторы

Транзистор 2N5401 to-92_bulk

264715
0,52 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.31 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A Предельная температура PN-перехода...
Транзистор 2SD716
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD716

304629
14,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SD1510
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD1510

304322
10,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 35 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 5000
Транзистор 2SC307
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC307

303657
1,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.