Транзистор IRL530N to-220

Транзистор IRL530N to-220

Артикул: 266097

N-Channel 100V,15A,63W,0.12(9A)

4,80 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
266097
Новый товар

Просмотренные товары

Микросхема 171УВ2 Ni
Микросхемы отечественные

Микросхема 171УВ2 Ni

299587
37,80 BYN
Микросхема 171УВ2 представляет собой видеоусилитель для блоков НГМД.Содержит 27 интегральных элементов.Предназначены для применения в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.Выпускаются в круглом металлостеклянном корпусе с вертикальным расположением выводов для монтажа в отверстия печатной платы.Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе...
View
Транзистор FQPF4N90C (4N90C)
Полевые транзисторы

Транзистор FQPF4N90C (4N90C)

264641
7,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 47 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 900 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 4 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Микросхема 564ЛC1В Ni
Микросхемы отечественные

Микросхема 564ЛC1В Ni

300343
2,20 BYN
Цифровая микросхема серии КМОП. представляет собой три логических элемента 3И-ИЛИ.Содержит 96 интегральных элемента.Корпус типа 401.14-5, масса не более 1 г.Технические условия: АЕЯР.431200.136-29 ТУ.Рабочая температура: -60...+125°С.Ток потребления: не более 0,12 мА.Напряжение питания: 4,2-13,5 В. Минимальный срок сохраняемости микросхем при их...
View
Микросхема 133ЛА15 Au
Микросхемы отечественные

Микросхема 133ЛА15 Au

299310
8,00 BYN
Микросхема интегральная полупроводниковая (транзисторно-транзисторная логика). Представляет собой элемент сопряжения МОП ЗУ – ТТЛ (четыре логических элемента «2И-НЕ»). Предназначена для использования в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения. Диапазон температур • диапазон рабочих температур от - 60 до + 125 °С Корпусное исполнение • корпус...
View
Транзистор FZT751T sot223
Биполярные транзисторы

Транзистор FZT751T sot223

293126
2,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SJ516
Полевые транзисторы

Транзистор 2SJ516

304672
17,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 35 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 250 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор Si2301BDS sot23
Полевые транзисторы

Транзистор Si2301BDS sot23

293381
0,80 BYN
Наименование прибора: SI2301BDS Маркировка: L1* Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.9 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 8 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 0.95 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 2.4 A...
View
Транзистор H90N03 so8
Полевые транзисторы

Транзистор H90N03 so8

293246
10,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 95 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 90 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.006...
View
Транзистор AO4616 soic8
Полевые транзисторы

Транзистор AO4616 soic8

293011
9,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: NP Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8(7) A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
View
Транзистор AO4826
Полевые транзисторы

Транзистор AO4826

311834
5,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6.3 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
View
Транзистор P2806HV
Полевые транзисторы

Транзистор P2806HV

276669
4,76 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 5 ns Выходная емкость (Cd): 154 pf...
View
Транзистор 60R041C6
Полевые транзисторы

Транзистор 60R041C6

276065
34,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 481 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 77.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор H8NK80ZFP to220f
Полевые транзисторы

Транзистор H8NK80ZFP to220f

293245
11,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6.2 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор 2SK1357
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1357

304720
12,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 60 nC Время нарастания (tr): 18...
View
Транзистор H5NK60ZFP изол
Полевые транзисторы

Транзистор H5NK60ZFP изол

293210
6,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.