Транзистор IRFB33N15D (B33N15D)

Транзистор IRFB33N15D (B33N15D)

Артикул: 266057

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 170 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 150 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5.5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 33 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Общий заряд затвора (Qg): 60 nC

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.056 Ohm

9,00 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 

HEXFET® Power MOSFET 150v_33A_0,56om

266057
Новый товар

Просмотренные товары

Микросхема 301НР1Ж
Микросхемы отечественные

Микросхема 301НР1Ж

299987
17,20 BYN
— интегральная микросхема артикул согласно ГОСТ микросхемы интегральные используются в РЭА в большой области применения с функционалом декодирующая резистивная матрица типа R-2R. Микросборка интегральная пленочного типа. Микросхемы производятся в металлопластиковом корпусе с гибкими контактами. Тип прибора указывается на металлическом корпусе. Рабочая...
Транзистор BD901
Биполярные транзисторы

Транзистор BD901

303743
11,20 BYN
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 100 В Напряжение коллектор-база, не более: 100 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 8 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 70 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 750 Корпус: TO-220
Микросхема 538УН3 Au
Микросхемы отечественные

Микросхема 538УН3 Au

300426
14,60 BYN
Микросхемы 538УН3 представляют собой малошумящий широкополосный усилитель с рабочей частотой до 3 МГц, оптимизированный для работы с низкоомными источниками (генераторами) сигналов (от сотен Ом до единиц кОм), предназначены для применения в качестве предварительного усилителя воспроизведения кассетного магнитофона высшего класса и в качестве усилителя...
Микросхема 521СА301 Au
Микросхемы отечественные

Микросхема 521СА301 Au

300050
21,60 BYN
Микросхемы 521СА301 представляют собой компаратор напряжения.Предназначены для применения в системах обработки информации, дискриминаторах амплитуды и скорости нарастания импульсов, индикаторах момента превышения сигналом определенного уровня, в пороговых и пиковых детекторах, автогенераторах, усилителях считывания сигналов магнитной памяти, сравнивающих...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SJ353
Полевые транзисторы

Транзистор 2SJ353

304665
16,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 1.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 15 ns Выходная емкость (Cd): 200 pf...
Транзистор 19NM50N
Полевые транзисторы

Транзистор 19NM50N

275936
11,96 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 80 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 14 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор IRFR320
Полевые транзисторы

Транзистор IRFR320

282625
3,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 42 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 400 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3.1 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 2SJ179
Полевые транзисторы

Транзистор 2SJ179

304660
20,40 BYN
Маркировка: PA Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 1.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 70 ns Выходная емкость...
Транзистор FDD5614P
Полевые транзисторы

Транзистор FDD5614P

265890
3,52 BYN
 Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 42 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 15 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Транзистор TK13A60D
Полевые транзисторы

Транзистор TK13A60D

276730
4,76 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 13 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор FDS4435
Полевые транзисторы

Транзистор FDS4435

266065
2,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8.8 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Транзистор 2SK2961
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK2961

304829
10,80 BYN
Маркировка: K2961 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.9 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2 A Максимальная температура канала (Tj): 150...
Транзистор ME04N25 dpak (to252)
Полевые транзисторы

Транзистор ME04N25 dpak (to252)

293301
5,60 BYN
Наименование прибора: ME04N25 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 31 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 250 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3.3 A Максимальная температура...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.