Транзистор IRFS23N20DTRLP

Транзистор IRFS23N20DTRLP

Артикул: 303400

 Труба MOS

21,60 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
технические
Количество Стежков
3
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)
0.1 Ω
Полярность
N-Channel
Рассеяние Мощности
3.8 W
Пороговое Напряжение
5.5 V
Напряжение Сток-исток (Vds)
200 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)
24A
Время Нарастания
32 ns
Входная емкость (Ciss)
1960pF @25V(Vds)
Время падения
16 ns
Рабочая температура (Макс)
175 ℃
Рабочая температура (мин)
-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)
3.8W (Ta), 170W (Tc)
пакет
Стиль Монтажа
Surface Mount
Количество Выводов
3
Корпус/Пакет
TO-263-3
размеры
Длина
6.5 mm
Ширина
6.22 mm
Высота
2.3 mm
Корпус/Пакет
TO-263-3
физическое
Рабочая Температура
-55℃ ~ 175℃ (TJ)
303400

Просмотренные товары

В этой категории 16 товаров:

Транзистор IPA60R280E6
Полевые транзисторы

Транзистор IPA60R280E6

311928
13,00 BYN
Маркировка: 6R280E6 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 32 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 13.8 A Максимальная температура канала...
Транзистор 20N60S5 (SPW20N60S5)
Полевые транзисторы

Транзистор 20N60S5 (SPW20N60S5)

265893
14,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 208 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 20 A Общий заряд затвора (Qg): 79 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.19 Ohm Тип корпуса: TO247
Транзистор CEP703AL
Полевые транзисторы

Транзистор CEP703AL

276303
3,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 40 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Транзистор 2SK557
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK557

304893
62,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 12 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 85 ns Выходная емкость (Cd): 720 pf...
Транзистор H7NK80ZFP to220F
Полевые транзисторы

Транзистор H7NK80ZFP to220F

293238
10,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5.2 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор H85N06 to220
Полевые транзисторы

Транзистор H85N06 to220

293242
7,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 160 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 85 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Транзистор 2SK3934
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK3934

292994
11,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 15 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 62 nC Время нарастания (tr): 70...
Транзистор P1203BV
Полевые транзисторы

Транзистор P1203BV

293337
16,40 BYN
Наименование прибора: P1203BV Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 11 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 40 ns...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.