Транзистор TK8A60DA

Транзистор TK8A60DA

Артикул: 302381

Труба MOS

6,00 BYN
под заказ 5-7 дней

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
Полярность
N-CH
Рассеяние Мощности
45W (Tc)
Напряжение Сток-исток (Vds)
600 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)
7.5A
Время Нарастания
25 ns
Входная емкость (Ciss)
1050pF @25V(Vds)
Время падения
10 ns
Рассеиваемая Мощность (Макс)
45W (Tc)
пакет
Стиль Монтажа
Through Hole
Корпус/Пакет
TO-220-3
размеры
Корпус/Пакет
TO-220-3
физическое
Рабочая Температура
150℃ (TJ)
302381

Просмотренные товары

Транзистор 2SC4468 TO3P
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC4468 TO3P

292875
26,52 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 140 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...

Покупатели этого товара так же приобрели:

Транзистор KF7N60F
Полевые транзисторы

Транзистор KF7N60F

311961
9,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 44.6 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 25 ns Выходная емкость (Cd): 100 pf...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор IRFIBC40G
Полевые транзисторы

Транзистор IRFIBC40G

276453
4,64 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор H88N30 to247
Полевые транзисторы

Транзистор H88N30 to247

293244
17,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 600 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 300 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 88 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 2SK3679
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK3679

304868
12,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 95 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 9 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 12 ns Выходная емкость (Cd): 140 pf...
Транзистор APM4550K sop8
Полевые транзисторы

Транзистор APM4550K sop8

293065
4,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: NP Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7(5) A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds):...
Транзистор TPC8110 so8
Полевые транзисторы

Транзистор TPC8110 so8

293443
8,00 BYN
Наименование прибора: TPC8110 Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.9 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8 A Максимальная температура канала...
Транзистор MTP30N05E
Полевые транзисторы

Транзистор MTP30N05E

304996
3,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 75 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 50 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 30 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Выходная емкость (Cd): 1600 pf Сопротивление сток-исток...
Транзистор IRG4BC30FD-S
Полевые транзисторы

Транзистор IRG4BC30FD-S

276495
7,60 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.80V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 31A Корпус: D2Pak
Транзистор APT8030LVRG
Полевые транзисторы

Транзистор APT8030LVRG

276274
35,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 520 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 27 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 340 nC Время нарастания (tr): 14...

Покупатели этого товара так же приобрели:

Транзистор KF7N60F
Полевые транзисторы

Транзистор KF7N60F

311961
9,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 44.6 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 25 ns Выходная емкость (Cd): 100 pf...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.