Транзистор 25P03LG

Транзистор 25P03LG

Артикул: 275967

MOSFET P-CH 30V 25A TO252

2,60 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
275967
Новый товар

Просмотренные товары

Транзистор IRF9333
Полевые транзисторы

Транзистор IRF9333

276423
4,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 9.2 A Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0194 Ohm Тип корпуса: SO8

В этой категории 16 товаров:

Транзистор HY4004B
Полевые транзисторы

Транзистор HY4004B

311926
12,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 217 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 208 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Транзистор IPA60R280E6
Полевые транзисторы

Транзистор IPA60R280E6

311928
13,00 BYN
Маркировка: 6R280E6 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 32 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 13.8 A Максимальная температура канала...
Транзистор 2SJ6820L
Полевые транзисторы

Транзистор 2SJ6820L

304685
20,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 750 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор TPCA8036
Полевые транзисторы

Транзистор TPCA8036

276757
3,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 45 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 38 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор IRG4BC20U
Полевые транзисторы

Транзистор IRG4BC20U

276492
12,80 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.10V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6.5A Максимальная температура перехода (Tj): 150 Корпус: TO220AB
Транзистор 2SK2688
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK2688

304815
12,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 60 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 16 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 50 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 55 ns Выходная емкость (Cd): 1300 pf...
Транзистор AP2001
Полевые транзисторы

Транзистор AP2001

276188
27,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 7 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.25 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C SO16
Транзистор K117
Полевые транзисторы

Транзистор K117

276561
2,60 BYN
Тип транзистора: JFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.3 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 50 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 0.014 A Максимальная температура канала (Tj): 125 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 250 Ohm TO92
Транзистор STP10NK60Z
Полевые транзисторы

Транзистор STP10NK60Z

268518
11,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 115 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 10 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.