Транзистор ME35N10A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 27.8 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 28.1 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 94.7 nC

Время нарастания (tr): 166 ns

Выходная емкость (Cd): 286 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.022 Ohm

Тип корпуса: TO-252