Транзистор APM4568K

Транзистор APM4568K

Артикул: 276261

Корпус SO-8
Вес 0,2 г
N-channel 40v 6.5A 20mOm and P-Channel -40V -5A 35mOm_ Dual Enhancement Mode MOSFET

7,52 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
276261
Новый товар

Просмотренные товары

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 12P10 (FQPF12P10) to-220f
Полевые транзисторы

Транзистор 12P10 (FQPF12P10) to-220f

265397
12,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 65 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 9.4 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 160 ns Выходная емкость (Cd): 220...
Транзистор 50N60SFD
Полевые транзисторы

Транзистор 50N60SFD

276031
20,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1040 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 50 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 50N03 (NTD50N03,IDP50N03) to-251 (i-pak)
Полевые транзисторы

Транзистор 50N03 (NTD50N03,IDP50N03) to-251 (i-pak)

265418
1,04 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 60 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 50 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Выходная емкость (Cd): 280 pf Сопротивление сток-исток...
Транзистор IRLMS6702
Полевые транзисторы

Транзистор IRLMS6702

276541
2,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.7 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 12 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 0.7 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 2.4 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
Транзистор 2SK2607
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK2607

304800
24,00 BYN
Маркировка: K2607 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 9 A Максимальная температура канала (Tj): 150...
Транзистор APT1003RKLL
Полевые транзисторы

Транзистор APT1003RKLL

276268
12,36 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 139 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 1000 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 4 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 4 ns Выходная емкость (Cd): 135 pf...
Транзистор KMB054N40D
Полевые транзисторы

Транзистор KMB054N40D

302353
8,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 45 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 54 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 16 ns Выходная емкость (Cd): 250 pf...
Транзистор 2SK2975
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK2975

304832
119,00 BYN
Маркировка: K2975 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 10 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Выходная емкость (Cd): 80 pf Сопротивление...
Транзистор FDS6912
Полевые транзисторы

Транзистор FDS6912

311913
5,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.028 Ohm Тип корпуса: SO8
Транзистор IRF641
Полевые транзисторы

Транзистор IRF641

276386
4,76 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 150 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 18 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.18 Ohm Тип корпуса: TO220
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.