Транзистор HN75N09AP

Транзистор HN75N09AP

Артикул: 311923

Тип управляющего канала: N-Channel

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 360

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.45

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 10

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 14

Максимальная температура перехода (Tj): 150

Время нарастания: 7000

Тип корпуса: TO220AB

8,80 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
311923

В этой категории 16 товаров:

Транзистор ECG261
Полевые транзисторы

Транзистор ECG261

276305
6,80 BYN
Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.7 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C Граничная...
Транзистор 52N15DPBF
Полевые транзисторы

Транзистор 52N15DPBF

276036
7,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 230 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 150 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 51 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Транзистор STF3N62K3
Полевые транзисторы

Транзистор STF3N62K3

305019
9,20 BYN
Маркировка: 3N62K3 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 20 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 620 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2.7 A Максимальная температура канала (Tj):...
Транзистор STF11N65M2
Полевые транзисторы

Транзистор STF11N65M2

312040
9,60 BYN
Маркировка: 11N65M2 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7 A Максимальная температура канала (Tj):...
Транзистор 2SK1119
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1119

304702
13,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 1000 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 2SK2586
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK2586

304799
30,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 60 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 260 ns Выходная емкость (Cd): 1760...
Транзистор MDF4N65B to220f
Полевые транзисторы

Транзистор MDF4N65B to220f

293300
4,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 35 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 650 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 4 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания...
Транзистор 60R580P
Полевые транзисторы

Транзистор 60R580P

276070
10,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 70 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 34 ns Выходная емкость (Cd): 428 pf...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.