Транзистор K2766

Транзистор K2766

Артикул: 276605

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 80 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Время нарастания (tr): 90 ns

Выходная емкость (Cd): 130 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2 Ohm

Тип корпуса: TO3PF

9,60 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
276605
Новый товар

В этой категории 16 товаров:

Транзистор APM4550
Полевые транзисторы

Транзистор APM4550

276259
4,76 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: NP Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7(5) A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds):...
Транзистор 2SJ74GR
Полевые транзисторы

Транзистор 2SJ74GR

304688
8,60 BYN
Тип транзистора: JFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.4 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 25 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.02 A Максимальная температура канала (Tj): 125 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 125 Ohm Тип корпуса: TO92
Транзистор 33N25
Полевые транзисторы

Транзистор 33N25

275988
10,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 235 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 250 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 33 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 36.8 nC Сопротивление сток-исток...
Транзистор 2SK3078
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK3078

304843
5,40 BYN
Маркировка: U* Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 10 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора...
Транзистор H17P10 to220
Полевые транзисторы

Транзистор H17P10 to220

293172
10,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 120 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 18 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Транзистор 27N25
Полевые транзисторы

Транзистор 27N25

312579
15,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 417 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 250 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 25.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 2SK1573
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1573

304740
37,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 15 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 105 ns Выходная емкость (Cd): 700...
Транзистор IRF7341
Полевые транзисторы

Транзистор IRF7341

276399
2,16 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 4.7 A Общий заряд затвора (Qg): 24 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.05 Ohm Тип...
Транзистор 02N50C3
Полевые транзисторы

Транзистор 02N50C3

275847
1,56 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3.9 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 1.8 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление...
Транзистор SUD50N024-09P dpak (to252)
Полевые транзисторы

Транзистор SUD50N024-09P dpak (to252)

293427
6,40 BYN
Наименование прибора: SUD50N024-09P Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 39.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 22 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 49 A Максимальная температура...
Транзистор H26NM60 to220f изол
Полевые транзисторы

Транзистор H26NM60 to220f изол

293186
8,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 140 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 20 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор K2767
Полевые транзисторы

Транзистор K2767

276606
7,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 80 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 900 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 40 ns Выходная емкость (Cd): 75 pf...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.