Транзистор 60R070P6 ( 6R070P6 )

Транзистор 60R070P6 ( 6R070P6 )

Артикул: 276067

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 391 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 53.5 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 100 nC

Время нарастания (tr): 15 ns

Выходная емкость (Cd): 190 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.07 Ohm

Тип корпуса: TO-247

22,56 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
276067
Новый товар

Просмотренные товары

Микросхема 217ЛБ3 Ni
Микросхемы отечественные

Микросхема 217ЛБ3 Ni

299783
1,20 BYN
Микросхема 217ЛБ3 представляет собой логический элемент 6И-НЕ с повышенным коэффициентом разветвления.Изготовлены по ДТЛ (диодно-транзисторная логика) технологии и предназначены для применения в электронной аппаратуре специального назначения.Выпускаются в 13-выводном прямоугольном металлостеклянном корпусе с вертикальным расположением выводов для монтажа...
View
Микросхема 1135СА1 Au
Микросхемы отечественные

Микросхема 1135СА1 Au

299225
43,20 BYN
представляет собой компаратор напряжения с запоминанием предыдущего состояния с ЭСЛ уровнями, 6.5 нс.Изготовлены по биполярной технологии и используются для работы в электронной аппаратуре специального назначения.
View
Микросхема 533ЛА3 Au
Микросхемы отечественные

Микросхема 533ЛА3 Au

300285
9,20 BYN
Цифровая микросхема серии ТТЛ изготовлена по биполярной технологии.Микросхемы 533ЛА3 представляют собой четыре логических элемента 2И-НЕ.Предназначены для применения в аппаратуре специального назначения.Содержат 80 интегральных элементов.Корпус типа 401.14-5, масса не более 0,65 г.Напряжение питания: 5 ±10% В.Рабочая температура: -60...+125°С.Импортный...
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор IRL3803
Полевые транзисторы

Транзистор IRL3803

276529
6,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 16 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 1 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 120 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор STD7N52K3
Полевые транзисторы

Транзистор STD7N52K3

312039
8,00 BYN
Маркировка: 7N52K3 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 90 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 525 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6.2 A Максимальная температура канала (Tj):...
View
Транзистор IRL2703S
Полевые транзисторы

Транзистор IRL2703S

276521
5,36 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 45 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 16 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 1 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 24 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор 2SK1469
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1469

304730
22,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 15 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 40 ns Выходная емкость (Cd): 550 pf...
View
Транзистор Si4431DY
Полевые транзисторы

Транзистор Si4431DY

293385
6,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
View
Транзистор FQPF18N20
Полевые транзисторы

Транзистор FQPF18N20

277832
3,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 110 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 18 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 21.1 ns Выходная емкость (Cd): 81.2...
View
Транзистор APM9932C so8
Полевые транзисторы

Транзистор APM9932C so8

293067
10,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: NP Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 12 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 9(6) A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds):...
View
Транзистор CEP703AL
Полевые транзисторы

Транзистор CEP703AL

276303
3,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 40 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.