Транзистор IXTQ50N25T

Транзистор IXTQ50N25T

Артикул: 304928
31,20 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 400 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 250 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 50 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 78 nC

Время нарастания (tr): 166 ns

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.06 Ohm

Тип корпуса: TO3P

304928

Просмотренные товары

В этой категории 16 товаров:

Транзистор IRF7322
Полевые транзисторы

Транзистор IRF7322

276397
4,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 12 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 0.7 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5.3 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 2SK1286
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1286

304715
18,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 15 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 30 nC Время нарастания (tr): 160...
Транзистор 60N60C2D1 (неизолированный)
Полевые транзисторы

Транзистор 60N60C2D1 (неизолированный)

276060
21,56 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.7V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 75A Время нарастания: 35 ISOPLUS247
Транзистор FDD2582
Полевые транзисторы

Транзистор FDD2582

276307
4,92 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 95 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 150 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 21 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Транзистор 04N60C3
Полевые транзисторы

Транзистор 04N60C3

275854
2,16 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3.9 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 4.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор SPA20N65C3
Полевые транзисторы

Транзистор SPA20N65C3

275949
20,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 208 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 650 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 20.7 A Общий заряд затвора (Qg): 87 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.19 Ohm Тип корпуса: TO220
Транзистор 2SK1217
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1217

304711
33,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 230 ns Сопротивление сток-исток...
Транзистор FDS6675 so8
Полевые транзисторы

Транзистор FDS6675 so8

293110
5,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 11 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор IRF2204 to220
Полевые транзисторы

Транзистор IRF2204 to220

293264
16,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 330 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 210 A Общий заряд затвора (Qg): 130 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0036 Ohm Тип...
Транзистор 2SK4005 to220f
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK4005 to220f

292995
8,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 70 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 900 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 5.6 ns Выходная емкость (Cd): 100 pf...
Транзистор AON7423
Полевые транзисторы

Транзистор AON7423

293039
6,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 83 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 8 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 0.9 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 50 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.