Транзистор RF5210STRLPBF

Транзистор RF5210STRLPBF

Артикул: 303089

 Труба MOS

26,80 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
технические
Количество Стежков
3
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)
0.06 Ω
Полярность
P-Channel
Рассеяние Мощности
3.1 W
Серия Деталей
IRF5210S
Пороговое Напряжение
4 V
Напряжение Сток-исток (Vds)
100 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)
-40.0 A
Входная емкость (Ciss)
2780pF @25V(Vds)
Максимальная входная мощность
3.1 W
Рабочая температура (Макс)
175 ℃
пакет
Стиль Монтажа
Surface Mount
Количество Выводов
3
Корпус/Пакет
TO-263-3
размеры
Корпус/Пакет
TO-263-3
303089

В этой категории 16 товаров:

Транзистор IRF7406
Полевые транзисторы

Транзистор IRF7406

259902
3,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5.8 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 39.3 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.045 Ohm Тип корпуса: SO8
Транзистор IRFR5505
Полевые транзисторы

Транзистор IRFR5505

276479
2,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 57 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 18 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 2SJ601
Полевые транзисторы

Транзистор 2SJ601

304678
8,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 65 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 36 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 63 nC Время нарастания (tr): 12 ns...
Транзистор 2SK215
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK215

304764
32,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 180 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 15 V Минимальное напряжение отсечки |Vgs(off)|: 0.2 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C...
Транзистор AP2307GN
Полевые транзисторы

Транзистор AP2307GN

276191
1,96 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.38 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 16 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 8 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 4 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 11 ns Выходная емкость (Cd): 180 pf...
Транзистор 2SK3316
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK3316

304852
31,20 BYN
Маркировка: K3316 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 35 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5 A Максимальная температура канала (Tj): 150...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.