Транзистор 2SK3067

Транзистор 2SK3067

Артикул: 304841

Маркировка: K3067

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 9 nC

Время нарастания (tr): 15 ns

Выходная емкость (Cd): 120 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 5 Ohm

10,20 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
304841

Просмотренные товары

Диод КД237Б
Диоды (разные)

Диод КД237Б

295081
3,60 BYN
Основные технические характеристики диода КД237Б:• Uoбp и max - Максимальное импульсное обратное напряжение: 100 В;• Inp max - Максимальный прямой ток: 1 А;• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1,3 В при Inp 1 А;• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 5 мкА при Uoбp 100 В;• tвoc обр - Время обратного восстановления: 50 мкс

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SK3528 to3pf
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK3528 to3pf

292984
18,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 120 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 17 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 37 ns Выходная емкость (Cd): 290 pf...
Транзистор MTP30N05E
Полевые транзисторы

Транзистор MTP30N05E

304996
3,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 75 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 50 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 30 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Выходная емкость (Cd): 1600 pf Сопротивление сток-исток...
Транзистор 2SK241GR
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK241GR

304789
13,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.03 A Максимальная температура канала (Tj): 125 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 100 Ohm
Транзистор AOD454 dpak (to252)
Полевые транзисторы

Транзистор AOD454 dpak (to252)

293031
6,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 12 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Время нарастания (tr): 6 ns Выходная емкость (Cd): 95 pf...
Транзистор AO4822
Полевые транзисторы

Транзистор AO4822

276162
4,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
Транзистор STW20NK50Z
Полевые транзисторы

Транзистор STW20NK50Z

312642
24,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 190 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 17 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор STN3NF06L
Полевые транзисторы

Транзистор STN3NF06L

305015
12,00 BYN
Маркировка: 3NF06L Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.3 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 16 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.8 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4 A Максимальная температура канала (Tj):...
Транзистор FDD850N10L
Полевые транзисторы

Транзистор FDD850N10L

311878
8,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 15.7 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий...
Транзистор IRF7433
Полевые транзисторы

Транзистор IRF7433

276407
3,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 12 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 8 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 0.9 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8.9 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор FDS4435
Полевые транзисторы

Транзистор FDS4435

266065
2,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8.8 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.