Транзистор 2SJ377

Транзистор 2SJ377

Артикул: 304667

Маркировка: J377

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 20 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 22 nC

Время нарастания (tr): 25 ns

Выходная емкость (Cd): 290 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.19 Ohm

20,40 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
304667

Просмотренные товары

Кремнеземная ткань КТ-11-С8/3-ТО 600 г/м2 0,3 х 500 х...
Лента ЛЭС, Кремнеземная

Кремнеземная ткань КТ-11-С8/3-ТО 600 г/м2 0,3 х 500 х 1000 мм белая

10808
85,00 BYN
Кремнеземная ткань KT-11-С8/3-ТО  плотность 600 г/м2, применяется как высокотемпературная теплоизоляция и теплозащита в различных отраслях техники от расплавленных брызг металла при сварке и защиты устройств, оборудования от воздействия высоких температур (рабочая температура 1000 С). С применением ткани изготавливаются противопожарные одеяла, занавеси и...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор IRFD123
Полевые транзисторы

Транзистор IRFD123

276442
3,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.3 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 1.3 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Время нарастания (tr): 27 ns Выходная емкость (Cd): 150...
Транзистор 11P06 (FQD11P06) to-252 (d-pak)
Полевые транзисторы

Транзистор 11P06 (FQD11P06) to-252 (d-pak)

265394
4,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 38 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 9.4 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 13 nC Сопротивление сток-исток...
Транзистор TK8A65D
Полевые транзисторы

Транзистор TK8A65D

276747
4,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 45 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 650 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 75NF20
Полевые транзисторы

Транзистор 75NF20

276085
10,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 190 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 75 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор IRF7101
Полевые транзисторы

Транзистор IRF7101

276389
1,96 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 12 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3.5 A Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.1 Ohm Тип корпуса: SO8
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.