Транзистор IRLL110PBF

Транзистор IRLL110PBF

Артикул: 303595

Труба MOS 

7,00 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 

технические

Номинальное Напряжение (DC)100 V

Номинальный Ток1.50 A

Номинальная Мощность3.1 W

Количество Стежков3

Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)0.54 Ω

ПолярностьN-Channel

Рассеяние Мощности2 W

Пороговое Напряжение2 V

Напряжение Сток-исток (Vds)100 V

Пробивное Напряжение (Стока-исток)100 V

Непрерывный Ток Стока (Ids)1.50 A

Время Нарастания47 ns

Входная емкость (Ciss)250pF @25V(Vds)

Максимальная входная мощность2 W

Время падения18 ns

Рабочая температура (Макс)150 ℃

Рабочая температура (мин)-55 ℃

Рассеиваемая Мощность (Макс)2 W

пакет

Стиль МонтажаSurface Mount

Количество Выводов4

Корпус/ПакетTO-261-4

размеры

Длина6.7 mm

Ширина3.7 mm

Высота1.45 mm

Корпус/ПакетTO-261-4

физическое

Рабочая Температура-55℃ ~ 150℃ (TJ)

303595

В этой категории 16 товаров:

Транзистор AP9467GH
Полевые транзисторы

Транзистор AP9467GH

295040
6,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 44.6 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 52 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
Транзистор 6N80C
Полевые транзисторы

Транзистор 6N80C

264670
6,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 51 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор IRFP354
Полевые транзисторы

Транзистор IRFP354

276457
22,36 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 190 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 450 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 14 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор H60N03L dpak (to252)
Полевые транзисторы

Транзистор H60N03L dpak (to252)

293212
2,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 62 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 16 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 51 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 12NK65ZFP
Полевые транзисторы

Транзистор 12NK65ZFP

275891
7,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 35 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 650 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8.5 A Общий заряд затвора (Qg): 62.6 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.41 Ohm TO220F
Транзистор SSH10N60A
Полевые транзисторы

Транзистор SSH10N60A

289745
9,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 193 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 10 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 74 nC Выходная емкость (Cd): 1750 pf Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds):...
Транзистор TPC8116
Полевые транзисторы

Транзистор TPC8116

276751
3,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.9 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 5 ns Выходная емкость (Cd): 250 pf...
Транзистор IRF7822
Полевые транзисторы

Транзистор IRF7822

276414
3,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.1 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 12 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 1 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 18 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор IRGP35B60PD
Полевые транзисторы

Транзистор IRGP35B60PD

276514
47,40 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 308W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.15V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40A TO247AC
Транзистор 55NE06 (STP55NE06,P55NE06) to-220
Полевые транзисторы

Транзистор 55NE06 (STP55NE06,P55NE06) to-220

266096
12,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 130 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 55 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд затвора (Qg): 80 nC Время нарастания (tr): 120...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.