Транзистор STP60NF03L

Транзистор STP60NF03L

Артикул: 304555
8,60 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 

Маркировка: P60NF03L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 60 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Общий заряд затвора (Qg): 43 nC

Время нарастания (tr): 250 ns

Выходная емкость (Cd): 630 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.01 Ohm

Тип корпуса: TO220

304555

Просмотренные товары

Транзистор IRLR2705
Полевые транзисторы

Транзистор IRLR2705

275512
4,80 BYN
ксимальное напряжение сток-исток Uси,В 55Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 24Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 40Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 46Крутизна характеристики, S 6.4
2Д220Б1
Диоды (разные)

2Д220Б1

313464
43,20 BYN
Диоды 2Д220Б1 кремниевые быстродействующие диффузионные выпрямительные.Предназначены для применения в выпрямительных и преобразовательных устройствах в диапазоне частот 1...50 кГц.Используются в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе. Масса диода не более 8 г.Тип...
2Д220А
Диоды (разные)

2Д220А

313461
8,00 BYN
Диоды 2Д220А кремниевые, диффузионные p-n проводимости, высокочастотные, выпрямительные.Предназначены для применения в выпрямительных и преобразовательных устройствах в диапазоне частот 1...50 кГц Используются для работы в аппаратуре специального назначения.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. Масса диода не более 3 г.
Диод КДС111В
Диоды (разные)

Диод КДС111В

295193
0,96 BYN
Основные технические характеристики диода КДС111В :• Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 300 В;• Inp max - Максимальный прямой ток: 200 мА;• fд - Рабочая частота диода: 20 кГц;• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1,2 В при Inp 100 мА;• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 3 мкА при Uoбp 300 В

В этой категории 16 товаров:

Транзистор FDS9435A (SI9435DY)
Полевые транзисторы

Транзистор FDS9435A (SI9435DY)

266089
1,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5.3 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Транзистор TPC8406H
Полевые транзисторы

Транзистор TPC8406H

312098
7,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: NP Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds):...
Транзистор AP9467GH dpak (to252)
Полевые транзисторы

Транзистор AP9467GH dpak (to252)

293054
12,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 44.6 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 52 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
Транзистор 2SK3565
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK3565

292986
8,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 45 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 900 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 2SK246LH
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK246LH

304791
2,20 BYN
Тип транзистора: JFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.3 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 50 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.014 A Максимальная температура канала (Tj): 125 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 650 Ohm Тип корпуса: TO92
Транзистор 2N06L
Полевые транзисторы

Транзистор 2N06L

275974
1,76 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 8.33 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 2 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 65 ns Выходная емкость (Cd): 100 pf...
Транзистор IRF820
Полевые транзисторы

Транзистор IRF820

276417
3,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 75 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор ECG261
Полевые транзисторы

Транзистор ECG261

276305
6,80 BYN
Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.7 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C Граничная...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.