Транзистор TPC8037

Транзистор TPC8037

Артикул: 276749

Корпус SO-8
Вес 0,2 г
N-Channel 30V 12A

3,60 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
276749
Новый товар

Просмотренные товары

Транзистор 2SK975
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK975

312570
6,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.9 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Минимальное напряжение отсечки |Vgs(off)|: 1 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 1.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SK1023
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1023

304692
34,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 60 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
Транзистор IRFP4110
Полевые транзисторы

Транзистор IRFP4110

286134
10,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 370 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 180 A Общий заряд затвора (Qg): 150 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0045 Ohm Тип...
Транзистор 10NM65N
Полевые транзисторы

Транзистор 10NM65N

275870
9,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 90 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 650 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 9 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 85T03GH
Полевые транзисторы

Транзистор 85T03GH

276109
1,96 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 107 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 75 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Транзистор STW19NM50N
Полевые транзисторы

Транзистор STW19NM50N

312052
16,00 BYN
Маркировка: 19NM50N Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 110 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 14 A Максимальная температура канала (Tj):...
Транзистор AP4501GSD dip
Полевые транзисторы

Транзистор AP4501GSD dip

293048
8,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: NP Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7(5) A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 5(7) ns Выходная емкость (Cd):...
Транзистор FDS4501H
Полевые транзисторы

Транзистор FDS4501H

266103
7,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: NP Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 9.3 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 17 nC Сопротивление сток-исток...
Транзистор 2SJ103GR to92
Полевые транзисторы

Транзистор 2SJ103GR to92

292944
4,80 BYN
Структура p-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -50 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -0.014 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 270 ом при-0.05a, -0.01в Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 0.3 Крутизна...
Транзистор K3160
Полевые транзисторы

Транзистор K3160

276623
5,56 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 10 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 75 ns Выходная емкость (Cd): 300 pf...
Транзистор TK8P60V dpak (to252)
Полевые транзисторы

Транзистор TK8P60V dpak (to252)

293441
6,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 80 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3.7 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор STW18NM80
Полевые транзисторы

Транзистор STW18NM80

312051
31,60 BYN
Маркировка: 18NM80 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 190 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 17 A Максимальная температура канала (Tj):...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.