Транзистор SUD50N024-09P dpak (to252)

Транзистор SUD50N024-09P dpak (to252)

Артикул: 293427

Наименование прибора: SUD50N024-09P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 39.5 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 22 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 49 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Общий заряд затвора (Qg): 10.5 nC

Время нарастания (tr): 10 ns

Выходная емкость (Cd): 470 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0095 Ohm

Тип корпуса: TO-252

6,40 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
293427

Просмотренные товары

Микросхема 106ЛА8А Аu
Микросхемы отечественные

Микросхема 106ЛА8А Аu

299259
10,80 BYN
 представляют собой четыре логических элемента 2И-НЕ с открытым коллекторным выходом.Изготовлены по ТТЛ технологии и предназначены для применения в электронной аппаратуры специального назначения.Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе микросхемы.Тип корпуса: 401.14-5.Масса не более 0,35 г.Рабочая температура: -60...+125°С.  - Напряжение питания...
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SK1060
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1060

304695
16,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 20 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 40 ns Выходная емкость (Cd): 250 pf...
View
Транзистор IRL540N
Полевые транзисторы

Транзистор IRL540N

266068
10,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 140 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 36 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 49.3 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.044 Ohm Тип корпуса: TO220AB
View
Транзистор AP9561
Полевые транзисторы

Транзистор AP9561

276214
6,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 39 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 46 ns Выходная емкость (Cd): 300 pf...
View
Транзистор AP4957GM
Полевые транзисторы

Транзистор AP4957GM

295041
6,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7.7 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания...
View
Транзистор 2SK3679
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK3679

304868
12,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 95 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 9 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 12 ns Выходная емкость (Cd): 140 pf...
View
Транзистор H20NM60FP to220f
Полевые транзисторы

Транзистор H20NM60FP to220f

293182
11,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 45 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 20 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор AOD434
Полевые транзисторы

Транзистор AOD434

276168
7,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 60 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 12 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 1 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 18 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
View
Транзистор FDS4935A
Полевые транзисторы

Транзистор FDS4935A

265874
3,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд затвора (Qg): 15 nC Сопротивление сток-исток...
View
Транзистор IRF841
Полевые транзисторы

Транзистор IRF841

276421
2,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 450 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Выходная емкость (Cd): 1500 pf Сопротивление сток-исток...
View
Транзистор MDF13N65B
Полевые транзисторы

Транзистор MDF13N65B

295609
5,92 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 36.7 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 650 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 14 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.