Транзистор K2917

Транзистор K2917

Артикул: 276610

Корпус TO-3PF
Вес 8 г
N-Channel_VDS = 500V,18A,RDS(ON)=0.21 ohm_Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type_Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive Applications

11,96 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
276610
Новый товар

Просмотренные товары

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 20NE06
Полевые транзисторы

Транзистор 20NE06

275951
3,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 1 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 13 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
View
Транзистор STD10PF06T4
Полевые транзисторы

Транзистор STD10PF06T4

312036
7,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
View
Транзистор 2SK3919
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK3919

264847
2,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 36 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 25 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 64 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 19 ns Выходная емкость (Cd): 460 pf...
View
Транзистор P2003EVG sop8
Полевые транзисторы

Транзистор P2003EVG sop8

293339
8,00 BYN
Наименование прибора: P2003EVG Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 9 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 10 ns...
View
Транзистор 111N15N3G
Полевые транзисторы

Транзистор 111N15N3G

275872
17,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 214 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 150 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 83 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
View
Транзистор K2665
Полевые транзисторы

Транзистор K2665

276596
8,56 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 900 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 40* ns Выходная емкость (Cd): 67 pf...
View
Транзистор ME35N10A
Полевые транзисторы

Транзистор ME35N10A

311963
7,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 27.8 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 28.1 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий...
View
Транзистор GFB50N03 (50N03)
Полевые транзисторы

Транзистор GFB50N03 (50N03)

266060
4,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 50 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.002 Ohm
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.