Транзистор IRF840B

Транзистор IRF840B

Артикул: 303234

 Труба MOS

7,00 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
технические
Количество Каналов
1
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)
650 mΩ
Полярность
N-Channel
Рассеяние Мощности
134 W
Напряжение Сток-исток (Vds)
500 V
Пробивное Напряжение (Стока-исток)
500 V
Пробивное Напряжение (Затвор-Исток)
±30.0 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)
8.00 A
Время Нарастания
65 ns
Входная емкость (Ciss)
1800pF @25V(Vds)
Максимальная входная мощность
134 W
Время падения
75 ns
Рабочая температура (Макс)
150 ℃
Рабочая температура (мин)
55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)
134W (Tc)
пакет
Стиль Монтажа
Through Hole
Количество Выводов
3
Корпус/Пакет
TO-220-3
размеры
Длина
10.67 mm
Ширина
4.7 mm
Высота
16.3 mm
Корпус/Пакет
TO-220-3
физическое
Рабочая Температура
-55℃ ~ 150℃ (TJ)
303234

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SK1191
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1191

292952
15,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 30 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Выходная емкость (Cd): 2500 pf Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.028 Ohm
Транзистор 2SK4108 2-16c1b (to3p,sc-65)
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK4108 2-16c1b (to3p,sc-65)

292999
21,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 20 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 70 nC Время нарастания (tr): 70...
Транзистор 2SK735
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK735

311827
14,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 450 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 20 ns Выходная емкость (Cd): 320 pf
Транзистор RDN150N20
Полевые транзисторы

Транзистор RDN150N20

294938
12,56 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 15 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 2SK1317
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1317

304716
42,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 1500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 70 ns Выходная емкость (Cd): 125...
Транзистор AO4702
Полевые транзисторы

Транзистор AO4702

311833
6,40 BYN
Маркировка: 4702 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 11 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 3.9 ns Выходная...
Транзистор H17P10 to220
Полевые транзисторы

Транзистор H17P10 to220

293172
10,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 120 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 18 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Транзистор 2SJ174
Полевые транзисторы

Транзистор 2SJ174

304654
24,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 75 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 20 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 125 ns Выходная емкость (Cd): 990 pf...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.