Транзистор SPW35N60C3

Транзистор SPW35N60C3

Артикул: 305011

Маркировка: 35N60C3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 313 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.9 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 34.6 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 150 nC

Время нарастания (tr): 5 ns

Выходная емкость (Cd): 1500 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.1 Ohm

Тип корпуса: TO247

45,20 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
305011

Просмотренные товары

Транзистор 2Т920А
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т920А

259806
22,44 BYN
Транзисторы 2Т920А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 50...200 МГц при напряжении питания 12,6 В.Выпускаются в металлокерамическом корпусе с плоскими выводами и монтажным винтом.Тип прибора указывается на корпусе.Масса...
View
Транзистор П210А
Транзисторы отечественные

Транзистор П210А

259850
7,04 BYN
Структура транзистора: p-n-p • Рк т max ― Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 60 Вт; • fh21э ― Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,1 МГц; • Uкэо проб ― Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и разомкнутой цепи базы: 65 В...
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 6R280E6
Полевые транзисторы

Транзистор 6R280E6

276081
21,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 32 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 13.8 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор 2SK3561
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK3561

304862
7,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор IRFL014N
Полевые транзисторы

Транзистор IRFL014N

276454
2,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.1 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 2.7 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление...
View
Транзистор K2731
Полевые транзисторы

Транзистор K2731

276600
1,04 BYN
Маркировка: KL Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 0.2 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 20 ns Выходная...
View
Транзистор AP9973M
Полевые транзисторы

Транзистор AP9973M

276236
6,00 BYN
Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 2.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.08 Ohm Тип корпуса: SO8
View
Транзистор 2SK1539
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1539

304738
21,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 72 nC Время включения (ton): 115...
View
Транзистор TPC8405
Полевые транзисторы

Транзистор TPC8405

276756
5,36 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: NP Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6(4.5) A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds):...
View
Транзистор 2SK2101
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK2101

304758
14,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 25 ns Выходная емкость (Cd): 120 pf...
View
Транзистор H5NK50ZFP изол
Полевые транзисторы

Транзистор H5NK50ZFP изол

293209
4,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 4.4 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.