Транзистор RSS090N03

Транзистор RSS090N03

Артикул: 302641
17,20 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура 150 C
Количество Выводов 8вывод(-ов)
Стандарты Автомобильной Промышленности AEC-Q101
Стиль Корпуса Транзистора sop
Рассеиваемая Мощность 2Вт
Полярность Транзистора N Канал
Напряжение Истока-стока Vds 30В
Непрерывный Ток Стока 9А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.011Ом
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Пороговое Напряжение Vgs 2.5В
Вес, г 0.15
302641

В этой категории 16 товаров:

Транзистор H14NF12 to220
Полевые транзисторы

Транзистор H14NF12 to220

293166
14,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 60 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 120 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 14 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Транзистор 2SK1404
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1404

304723
9,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 35 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 45 ns Выходная емкость (Cd): 250 pf...
Транзистор APT68GA60B to247
Полевые транзисторы

Транзистор APT68GA60B to247

293068
69,60 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 520 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.9 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 30 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 68 Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время...
Транзистор 50R380P
Полевые транзисторы

Транзистор 50R380P

276033
2,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 83 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 11 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
Транзистор FCPF20N60C3
Полевые транзисторы

Транзистор FCPF20N60C3

295011
9,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 208 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 20.7 A Общий заряд затвора (Qg): 87 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.19 Ohm
Транзистор IRG4BC20UD-S
Полевые транзисторы

Транзистор IRG4BC20UD-S

276493
7,60 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.10V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6.5A Максимальная температура перехода (Tj): 150 Корпус: D2PAK
Транзистор 2SK2043
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK2043

292965
6,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 2 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 12 ns Выходная емкость (Cd): 55 pf...
Транзистор AP4575GM
Полевые транзисторы

Транзистор AP4575GM

276206
5,56 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: NP Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6(4.2) A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 6(9.5) ns Выходная емкость (Cd):...
Транзистор SI2306DS ( A6SHB )
Полевые транзисторы

Транзистор SI2306DS ( A6SHB )

276713
0,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.25 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 7.5 ns Выходная емкость (Cd): 120...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.