Транзистор FQPF10N60C

Транзистор FQPF10N60C

Артикул: 302431

Труба MOS

7,00 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
Номинальное Напряжение (DC)
600 V
Номинальный Ток
9.50 A
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)
730 mΩ
Полярность
N-Channel
Рассеяние Мощности
50 W
Напряжение Сток-исток (Vds)
600 V
Пробивное Напряжение (Стока-исток)
600 V
Пробивное Напряжение (Затвор-Исток)
±30.0 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)
9.50 A
Входная емкость (Ciss)
2040pF @25V(Vds)
Максимальная входная мощность
50 W
Рассеиваемая Мощность (Макс)
50W (Tc)
пакет
Стиль Монтажа
Through Hole
Корпус/Пакет
TO-220-3
размеры
Корпус/Пакет
TO-220-3
физическое
Рабочая Температура
-55℃ ~ 150℃ (TJ)
302431

Просмотренные товары

Транзистор APM2509N
Полевые транзисторы

Транзистор APM2509N

276249
2,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 25 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 50 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Диоды СВЧ КА536Б-6 Au
Диоды СВЧ

Диоды СВЧ КА536Б-6 Au

294848
3,84 BYN
Основные технические параметры СВЧ диода 2А536Б-6:• Общая емкость диода: не более 0,2 пФ;• Прямое сопротивление потерь: не более 1,5 Ом;• Критическая частота переключения диода: не менее 300 ГГц;• Накопленный заряд: не более 250 нКл;• Пробивное напряжение: не менее 300 В;• Постоянное обратное напряжение: не более 150 В;• Постоянный прямой ток: не более...

Покупатели этого товара так же приобрели:

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SK2605
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK2605

292974
7,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 45 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5 A Общий заряд затвора (Qg): 34 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2.2 Ohm
Транзистор SDM4953
Полевые транзисторы

Транзистор SDM4953

293377
10,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5.3 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.06...
Транзистор H26NM60 to220
Полевые транзисторы

Транзистор H26NM60 to220

293185
8,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 140 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 20 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор K2475
Полевые транзисторы

Транзистор K2475

276588
4,64 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 12 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 90* ns Выходная емкость (Cd): 270 pf...
Транзистор 2SK1539
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1539

304738
21,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 72 nC Время включения (ton): 115...
Транзистор TPC8032
Полевые транзисторы

Транзистор TPC8032

276748
3,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.9 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 15 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 22N60NT
Полевые транзисторы

Транзистор 22N60NT

275960
11,36 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 39 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 22 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор FDS6994S
Полевые транзисторы

Транзистор FDS6994S

311915
6,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 16 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6.9 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.021...
Транзистор 2SJ179
Полевые транзисторы

Транзистор 2SJ179

304660
20,40 BYN
Маркировка: PA Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 1.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 70 ns Выходная емкость...
Транзистор 30N60RUFD
Полевые транзисторы

Транзистор 30N60RUFD

275982
34,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 30A Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время нарастания: 80 Корпус: TO3P
Транзистор PHKD13N03LT
Полевые транзисторы

Транзистор PHKD13N03LT

293346
8,40 BYN
Наименование прибора: PHKD13N03LT Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.57 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 10.4 A Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.02 Ohm Тип корпуса: SO8

Покупатели этого товара так же приобрели:

Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.