Транзистор IRF7325 so8

Транзистор IRF7325 so8

Артикул: 293268
Корпус 8-SOIC (3.9мм ширина)
Мощность макcимальная 2Вт
Напряжение (Vdss) 12В
Особенности Logic Level Gate
Полярность 2 P-Channel (Dual)
Серия HEXFET®
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Ток 25°C
3,60 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
293268

Просмотренные товары

Транзистор КТ368А
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ368А

259450
0,00 BYN
Транзисторы КТ368А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.Предназначены для использования во входных и последующих каскадах усилителей высокой частоты.Транзисторы КТ368А, КТ368Б выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.Масса транзистора в металлостеклянном корпусе не более 1 г.
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор AON6934 dfn5x6
Полевые транзисторы

Транзистор AON6934 dfn5x6

293036
12,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 33 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 36 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 2.5 ns Выходная емкость (Cd): 373 pf...
View
Транзистор MTB6N60E
Полевые транзисторы

Транзистор MTB6N60E

311967
6,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор FDS4470
Полевые транзисторы

Транзистор FDS4470

276326
1,76 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 12.5 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
View
Транзистор IRFS840
Полевые транзисторы

Транзистор IRFS840

276485
4,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор H1NK60Z dpak (to252)
Полевые транзисторы

Транзистор H1NK60Z dpak (to252)

293177
4,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 0.25 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление...
View
Транзистор SSH10N60A
Полевые транзисторы

Транзистор SSH10N60A

289745
9,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 193 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 10 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 74 nC Выходная емкость (Cd): 1750 pf Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds):...
View
Транзистор AP9918GJ ipak (to251)
Полевые транзисторы

Транзистор AP9918GJ ipak (to251)

293056
8,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 48 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 12 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 45 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 83 ns Выходная емкость (Cd): 310 pf...
View
Транзистор K3160
Полевые транзисторы

Транзистор K3160

276623
5,56 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 10 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 75 ns Выходная емкость (Cd): 300 pf...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.