Транзистор 20N60C

Транзистор 20N60C

Артикул: 275944

Корпус TO-220F
Вес 2,9 г
N-Channel MOSFET 600V,20A

9,00 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
275944
Новый товар

Просмотренные товары

Транзистор МП16А
Транзисторы отечественные

Транзистор МП16А

301340
0,60 BYN
Транзисторы МП16А германиевые низкочастотные маломощные сплавные p-n-p переключательные.Предназначены для применения в схема переключения и формирования импульсов.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса.Масса транзистора не более 2 г.Тип корпуса: КТЮ-3-6.Технические условия:...
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор IRF7316
Полевые транзисторы

Транзистор IRF7316

259896
3,30 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 4.9 A Общий заряд затвора (Qg): 23 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.098 Ohm Тип...
View
Транзистор H4N60 to220f
Полевые транзисторы

Транзистор H4N60 to220f

293200
3,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 106 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 4 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 80 ns Выходная емкость (Cd): 80 pf...
View
Транзистор IPB80N04S2
Полевые транзисторы

Транзистор IPB80N04S2

311931
16,80 BYN
Маркировка: 2N0404 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 300 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 80 A Максимальная температура канала (Tj):...
View
Транзистор 2SK2666
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK2666

304810
7,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время включения (ton): 40 ns Выходная емкость (Cd): 67 pf...
View
Транзистор K3025
Полевые транзисторы

Транзистор K3025

276616
4,76 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 30 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 20 ns Выходная емкость (Cd): 400 pf...
View
Транзистор 2SK3065
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK3065

304840
9,80 BYN
Маркировка: KE Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 50 ns Выходная емкость...
View
Транзистор 35N60C3
Полевые транзисторы

Транзистор 35N60C3

275990
28,44 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 313 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 34.6 A Общий заряд затвора (Qg): 150 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.1 Ohm Тип корпуса: TO247
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.